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一种高透薄膜的制备方法.pdf

摘要
申请专利号:

CN201310548946.7

申请日:

2013.11.07

公开号:

CN103643208A

公开日:

2014.03.19

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法?#19978;?#24773;: 登录超时
IPC分类号: C23C14/35; C23C14/08; C23C14/14; B32B9/04; B32B15/04 主分类号: C23C14/35
申请人: 中山市创科科研技术服务有限公司
发明人: 陈路玉
地址: 528400 广东省中山市火炬开发区创业大厦229号
优?#28909;ǎ?/td>
专利代理机构: 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人: 吴剑锋
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法律状态
申请(专利)号:

CN201310548946.7

授权公告号:

法律状态公告日:

2018.11.29

法律状态类型:

登录超时

摘要

本发明公开了一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层;B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在Nb2O5层上磁控溅射TiO2层;C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在TiO2层上磁控溅射AZO层;D、直流电源溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;E、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Ag层上磁控溅射NiCr层;F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在NiCr层上磁控溅射TiO2层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。

权利要求书

权利要求书
1.  一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层;
B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层;
C、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层;
D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层;
E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层;
F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。

2.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20~30nm,氩气与氧气的体积比为1:3,溅射压力2.5*10-3mbar,所述直流电源的溅射功率为30~45KW。

3.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤B中所述TiO2层的厚度为8~15nm,所述交流电源的溅射功率40~75KW。

4.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征 在于步骤C中所述AZO层的厚度为20~25nm,所述的交流电源的溅射功率20~25KW。

5.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8~10nm,所述直流电源的溅射功率3~6KW。

6.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为2~3nm,所述NiCr合金中Ni:Cr的摩尔比21:79,所述直流电源的溅射功率2~3KW。

7.  根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法,其特征在于F中所述TiO2层的厚度为20~30nm,所述交流电源的溅射功率为100~150KW,其中包括两个阴极溅射,每个阴极50~75KW。

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一种 薄膜 制备 方法
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