平码五不中公式规律
  • / 36
  • 下载费用:30 金币  

有机发光二极管显示器及其驱动方法.pdf

关 键 ?#21097;?/dt>
有机 发光二极管 显示器 及其 驱动 方法
  专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
摘要
申请专利号:

CN201610217326.9

申请日:

2016.04.08

公开号:

CN106683618A

公开日:

2017.05.17

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法?#19978;?#24773;: 实质审查的生效IPC(主分类):G09G 3/3233申请日:20160408|||公开
IPC分类号: G09G3/3233(2016.01)I 主分类号: G09G3/3233
申请人: 乐金显示有限公司
发明人: 吴忠玩; 朴泳柱
地址: 韩国首尔
优?#28909;ǎ?/td> 2015.11.10 KR 10-2015-0157564
专利代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
PDF完整版下载: PDF下载
法律状态
申请(专利)号:

CN201610217326.9

授权公告号:

|||

法律状态公告日:

2017.06.09|||2017.05.17

法律状态类型:

实质审查的生效|||公开

摘要

公开了一种有机发光二极管显示器及其驱动方法。该有机发光二极管显示器包括:显示面板,其包括彼此交叉的数据线和选通线、各自包括多个子像素的块以及感测路径,各个感测路径被包括在各个块中的多个子像素共享;数据驱动器,其通过数据线将感测数据电压供应给各个子像素并且输出通过感测路径获得的各个块的感测值;以及数据调制器,其基于各个块的感测值来选择各个块的补偿值,利用所述补偿值对输入图像的数据进行调制,并且将所调制的输入图像的数据发送给数据驱动器。

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括:
显示面板,该显示面板包括:
数据线,
与所述数据线交叉的选通线,
各自包括多个子像素的块,以及
感测路径,各个所述感测路径被各个块中的所述多个子像素共享;
数据驱动器,该数据驱动器被配置为通过所述数据线将感测数据电压供应给各个
子像素并且输出通过感测路径获得的各个块的感测值;以及
数据调制器,该数据调制器被配置为基于各个块的所述感测值来选择各个块的补
偿值,利用所述补偿值对输入图像的数据进行调制,并且将所调制的所述输入图像的
数据发送给所述数据驱动器,
其中,所述数据调制器将目标块的感测值与设置在所述目标块周围的一个或更多
个相邻块的感测值进行比较,并且?#24444;?#36848;目标块的感测值大于所述一个或更多个相邻
块的感测值时,所述数据调制器将所述目标块的感测值改变为相邻块的感测值。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,当感测值比所述目标
块的感测值大的相邻块的数量大于感测值与所述目标块的感测值相同的相邻块的数
量时,所述数据调制器将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测值。
3.一种驱动有机发光二极管显示器的方法,该有机发光二极管显示器包括块,
各个块包括多个子像素和感测路径,各个所述感测路径被包括在各个块中的所述多个
子像素共享,所述方法包括以下步骤:
获得各个块的感测值;
将目标块的感测值与设置在所述目标块周围的一个或更多个相邻块的感测值进
行比较;以及
?#24444;?#36848;目标块的感测值大于所述一个或更多个相邻块的感测值时,将所述目标块
的感测值改变为相邻块的感测值。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,改变所述目标块的感测值的步骤包括以
下步骤:当感测值比所述目标块的感测值大的相邻块的数量大于感测值与所述目标块
的感测值相同的相邻块的数量时,将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测
值。
5.一种有机发光二极管OLED装置,该OLED装置包括:
显示面板,该显示面板包括被配置为生成图像的像素的块,各个块包括多个像素;
数据驱动电路,该数据驱动电路被配置为从像素的所述块接收感测信号,并且生
成与所接收到的感测信号对应的属性值,各个所述感测信号指示各个块中的像素的代
表属性;以及
补偿电路,该补偿电路联接到所述数据驱动电路并且被配置为通过将像素的目标
块的属性值与和所述目标块相邻的多个块的属性值进行比较来确定像素的目标块是
否包括至少一个缺陷像素。
6.根据权利要求5所述的OLED装置,其中,所述补偿电路还被配置为响应于
确定所述目标块包括至少一个缺陷像素,基于相邻块的属性值来修改所述目标块的属
性值,以对视频数据执行补偿。
7.根据权利要求6所述的OLED装置,该OLED装置还包括定时控制器,该定
时控制器被配置为:
从源接收未修改的视频数据;
基于所述目标块的修改的属性值来将所述未修改的视频数据转换为修改的视频
数据;以及
将所述修改的视频数据发送给所述数据驱动电路,所述数据驱动电路基于所述修
改的视频数据来生成模拟信号以操作所述像素。
8.一种感测操作有机发光二极管OLED显示装置的属性的方法,该方法包括以
下步骤:
从像素的块接收感测信号并且生成与所接收到的感测信号对应的属性值,各个块
包括多个像素,各个所述感测信号指示各个块中的像素的代表属性;以及
通过将像素的目标块的属性值与和所述目标块相邻的多个块的属性值进行比较
来确定像素的目标块是否包括至少一个缺陷像素。
9.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:响应于确定所述目标
块包括至少一个缺陷像素,基于相邻块的属性值来修改所述目标块的属性值,以对视
频数据执行补偿。
10.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:
基于所述目标块的修改的属性值来将未修改的视频数据转换为修改的视频数据;
以及
基于所述修改的视频数据来生成模拟信号,以操作所述像素。

?#24471;?#20070;

有机发光二极管显示器及其驱动方法

技术领域

本公开涉及一种基于像素的驱动属性的变化的感测结果来改进图像质量的有机
发光二极管显示器。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(OLED)显示器包括本身能够发射光的有机发光二极
管(OLED),并且具有快速响应时间、高发射效率、高亮度和宽视角的优点。各个
OLED包括阳极、阴极以及形成在阳极与阴极之间的有机化合物层。有机化合物层包
括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层
EIL。当对阳极和阴极施加驱动电压时,穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输
层ETL的电子向发射层EML移动并且形成激子。结果,发射层EML生成可见光。

OLED显示器的各个像素包括控制流过OLED的电流的驱动元件。驱动元件可被
实现为薄膜晶体管(TFT)。优选的是,在所有像素中,驱动元件的电气属性(例如,
阈值电压和迁移率)被相同地设计。然而,由于工艺条件、驱动环境等,驱动TFT
的电气属性不均匀。随着驱动时间增加,驱动元件的应力增加。另外,驱动元件的应
力根据数据电压而变化。驱动元件的电气属性受应力的影响。因此,随着驱动时间过
去,驱动TFT的电气属性变化。

对OLED显示器的像素的驱动属性(或特性)的改变进行补偿的方法被分为内
部补偿方法和外部补偿方法。

内部补偿方法在像素电路内部自动地补偿驱动TFT的阈值电压的变化。由于不
管驱动TFT的阈值电压如何,必须确定流过OLED的电流以实现内部补偿,所以像
素电路的配置变得复杂。另外,内部补偿方法难以补偿驱动TFT的迁移率的变化。

外部补偿方法感测驱动TFT的电气属性(例如,阈值电压和迁移率)并?#19968;?#20110;
感测结果通过设置在显示面板外部的补偿电路对输入图像的像素数据进行调制,从而
补偿各个像素的驱动属性的改变。

外部补偿方法通过连接到显示面板的像素的参考电压线(以下称作“REF线”)直
接从各个像素接收感测电压,将感测电压转换为数字感测数据以生成感测值,并且将
该感测值发送至定时控制器。定时控制器基于感测值对输入图像的数?#36136;?#39057;数据进行
调制并且补偿各个像素的驱动属性的改变。

由于最近OLED显示器的分辨率以及有机化合物的效率的增加,驱动各个像素
所需的电流(或者每像素所需的电流)的量也?#26412;?#20943;小。另外,从像素接收以感测像
素的驱动属性的改变的感测电流的量减小。随着感测电流的量减小,在有限采样周期
中采样和保持电路的电容器的电荷量减少。因此,难以感测像素的驱动属性的改变。
采样周期由确定采样和保持电路的电容器的充电定时的开关信号限定。在采样周期期
间,采样和保持电路从像素接收电流,利用电荷对电容器进行充电,将电流转换为电
压,并且对像素的电压进行采样。

OLED显示器将低灰度级感测数据电压施加到像素,以感测在低灰度级下像素的
驱动属性。在这种情况下,OLED显示器通过采样和保持电?#26041;?#27969;过像素的电流转换
为电压,对像素的电压进行采样,并且通过模数转换器(ADC)将所采样的电压转换
为数字数据(即,感测值),从而感测在低灰度级下像素的驱动属性。

由于在低灰度级下像素的电流的量减少,所以在有限采样周期中获得的ADC的
输入电压可小于ADC可识别的最小电压。如果ADC的输入电?#20849;?#28385;足ADC可识别
的最小电压,则无法感测在低灰度级下像素的驱动属性。如果包括采样周期的感测周
期的长度增加,则在低灰度级下ADC的输入电压?#31245;?#22823;。然而,对感测周期的长度
的增加存在限制。如果没有感测到在低灰度级下像素的驱动属性,则无法补偿在低灰
度级下像素的驱动属性的变化。由于在高灰度级下像素的电流变大,所以可容易地感
测在高灰度级下高分辨率和高清晰度像素的驱动属性。

发明内容

实施方式涉及一种包括显示面板、数据驱动电路和补偿电路的有机发光二极管
(OLED)装置。所述显示面板包括生成图像的像素的块。各个块包括多个像素。数
据驱动电路从像素的块接收感测信号并且生成与所接收到的感测信号对应的属性值。
各个感测信号指示各个块中的像素的代表属性。补偿电路联接到数据驱动电路并且通
过将像素的目标块的属性值与和目标块相邻的多个块的属性值进行比较来确定像素
的目标块是否包括至少一个缺陷像素。

在一个实施方式中,当确定目标块包括至少一个缺陷像素时,所述补偿电路基于
相邻块的属性值来修改目标块的属性值以对视频数据执行补偿。

在一个实施方式中,?#22266;?#20379;定时控制器。该定时控制器从源接收未修改的视频数
据,基于目标块的修改的属性值将所述未修改的视频数据转换为修改的视频数据,并
且将修改的视频数据发送给数据驱动电路,所述数据驱动电路基于修改的视频数据生
成模拟信号以操作像素。

在一个实施方式中,目标块的修改的属性值是相邻块的属性值或者相邻块的属性
值的平均值中的一个。

在一个实施方式中,所述数据驱动电路包括模数转换器(ADC)以及联接到所述
ADC的开关,该开关选择性地将ADC连接到像素的各个块以从像素的各个块接收感
测信号。

在一个实施方式中,各个感测信号通过从各个块中的全部像素接收电流来生成。

在一个实施方式中,响应于确定具有相对于目标块的属性值偏离的属性值的相邻
块的比率或数量超过预定比率或数量,目标块被确定为包括至少一个缺陷像素。

在一个实施方式中,响应于确定目标块的属性值相对于相邻块的属性值的平均值
的偏离超过阈值,目标块被确定为包括至少一个缺陷像素。

在一个实施方式中,经由各个块中的全部像素所共享的参考线从像素的各个块发
送各个感测信号。

实施方?#20132;?#28041;及一种有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括:显
示面板,其包括彼此交叉的数据线和选通线、各自包括多个子像素的块以及感测路径,
各个感测路径被包括在各个块中的多个子像素共享;数据驱动器,其被配置为通过数
据线将感测数据电压供应给各个子像素并且输出通过感测路径获得的各个块的感测
值;以及数据调制器,其被配置为基于各个块的感测值来选择各个块的补偿值,利用
所述补偿值对输入图像的数据进行调制,并且将所调制的输入图像的数据发送给数据
驱动器。

在一个实施方式中,所述数据调制器将目标块的感测值与设置在目标块周围的一
个或更多个相邻块的感测值进行比较,并且当目标块的感测值大于所述一个或更多个
相邻块的感测值时,将目标块的感测值改变为相邻块的感测值。

在一个实施方式中,当感测值比目标块的感测值大的相邻块的数量大于感测值基
本上与目标块的感测值相同的相邻块的数量时,数据调制器将目标块的感测值改变为
相邻块的感测值。

在一个实施方式中,所述数据调制器将所述多个相邻块的感测值的平均感测值与
目标块的感测值进行比较,并且?#24444;?#36848;多个相邻块的平均感测值与目标块的感测值之
差等于或大于预定临界值时,将目标块的感测值改变为相邻块的平均感测值。

在一个实施方式中,所述数据调制器将目标块的感测值改变为相邻块的感测值或
者相邻块的平均感测值。

附记1.一种有机发光二极管显示器,该有机发光二极管显示器包括:

显示面板,该显示面板包括:

数据线,

与所述数据线交叉的选通线,

各自包括多个子像素的块,以及

感测路径,各个所述感测路径被各个块中的所述多个子像素共享;

数据驱动器,该数据驱动器被配置为通过所述数据线将感测数据电压供应给各个
子像素并且输出通过感测路径获得的各个块的感测值;以及

数据调制器,该数据调制器被配置为基于各个块的所述感测值来选择各个块的补
偿值,利用所述补偿值对输入图像的数据进行调制,并且将所调制的所述输入图像的
数据发送给所述数据驱动器,

其中,所述数据调制器将目标块的感测值与设置在所述目标块周围的一个或更多
个相邻块的感测值进行比较,并且?#24444;?#36848;目标块的感测值大于所述一个或更多个相邻
块的感测值时,所述数据调制器将所述目标块的感测值改变为相邻块的感测值。

附记2.根据附记1所述的有机发光二极管显示器,其中,当感测值比所述目标
块的感测值大的相邻块的数量大于感测值与所述目标块的感测值相同的相邻块的数
量时,所述数据调制器将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测值。

附记3.根据附记1所述的有机发光二极管显示器,其中,所述数据调制器将所
述多个相邻块的感测值的平均感测值与所述目标块的感测值进行比较,并且?#24444;?#36848;多
个相邻块的所述平均感测值与所述目标块的感测值之差等于或大于预定临界值时,所
述数据调制器将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的平均感测值。

附记4.根据附记2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述数据调制器将所
述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测值或所述相邻块的感测值的平均感测值。

附记5.根据附记3所述的有机发光二极管显示器,其中,所述数据调制器将所
述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测值或所述相邻块的所述平均感测值。

附记6.一种驱动有机发光二极管显示器的方法,该有机发光二极管显示器包括
块,各个块包括多个子像素和感测路径,各个所述感测路径被包括在各个块中的所述
多个子像素共享,所述方法包括以下步骤:

获得各个块的感测值;

将目标块的感测值与设置在所述目标块周围的一个或更多个相邻块的感测值进
行比较;以及

?#24444;?#36848;目标块的感测值大于所述一个或更多个相邻块的感测值时,将所述目标块
的感测值改变为相邻块的感测值。

附记7.根据附记6所述的方法,其中,改变所述目标块的感测值的步骤包括以
下步骤:当感测值比所述目标块的感测值大的相邻块的数量大于感测值与所述目标块
的感测值相同的相邻块的数量时,将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测
值。

附记8.根据附记6所述的方法,其中,改变所述目标块的感测值的步骤包括以
下步骤:

将所述多个相邻块的感测值的平均感测值与所述目标块的感测值进行比较;以及

?#24444;?#36848;多个相邻块的所述平均感测值与所述目标块的感测值之差等于或大于预
定临界值时,将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的所述平均感测值。

附记9.根据附记7所述的方法,其中,改变所述目标块的感测值的步骤包括以
下步骤:将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测值或所述相邻块的感测值的
平均感测值。

附记10.根据附记8所述的方法,其中,改变所述目标块的感测值的步骤包括以
下步骤:将所述目标块的感测值改变为所述相邻块的感测值或所述相邻块的所述平均
感测值。

附记11.一种有机发光二极管OLED装置,该OLED装置包括:

显示面板,该显示面板包括被配置为生成图像的像素的块,各个块包括多个像素;

数据驱动电路,该数据驱动电路被配置为从像素的所述块接收感测信号,并且生
成与所接收到的感测信号对应的属性值,各个所述感测信号指示各个块中的像素的代
表属性;以及

补偿电路,该补偿电路联接到所述数据驱动电路并且被配置为通过将像素的目标
块的属性值与和所述目标块相邻的多个块的属性值进行比较来确定像素的目标块是
否包括至少一个缺陷像素。

附记12.根据附记11所述的OLED装置,其中,所述补偿电路还被配置为响应
于确定所述目标块包括至少一个缺陷像素,基于相邻块的属性值来修改所述目标块的
属性值,以对视频数据执行补偿。

附记13.根据附记12所述的OLED装置,该OLED装置还包括定时控制器,该
定时控制器被配置为:

从源接收未修改的视频数据;

基于所述目标块的修改的属性值来将所述未修改的视频数据转换为修改的视频
数据;以及

将所述修改的视频数据发送给所述数据驱动电路,所述数据驱动电路基于所述修
改的视频数据来生成模拟信号以操作所述像素。

附记14.根据附记13所述的OLED装置,其中,所述目标块的所述修改的属
性值是所述相邻块的属性值或所述相邻块的属性值的平均值中的一个。

附记15.根据附记11所述的OLED装置,其中,所述数据驱动电路包括模数
转换器ADC以及联接到所述ADC的开关,该开关用于选择性地将所述ADC连接到
像素的各个块以从像素的各个块接收所述感测信号。

附记16.根据附记11所述的OLED装置,其中,各个所述感测信号是通过从
各个块中的全部像素接收电流来生成的。

附记17.根据附记11所述的OLED装置,其中,响应于确定属性值相对于所
述目标块的属性值偏离的相邻块的比率或数量超过预定比率或数量,所述目标块被确
定为包括至少一个缺陷像素。

附记18.根据附记11所述的OLED装置,其中,响应于确定所述目标块的属
性值相对于相邻块的属性值的平均值的偏离超过阈值,所述目标块被确定为包括至少
一个缺陷像素。

附记19.根据附记11所述的OLED装置,其中,经由像素的各个块中的全部
像素所共享的参考线从各个所述块发送各个所述感测信号。

附记20.一种感测操作有机发光二极管OLED显示装置的属性的方法,该方
法包括以下步骤:

从像素的块接收感测信号并且生成与所接收到的感测信号对应的属性值,各个块
包括多个像素,各个所述感测信号指示各个块中的像素的代表属性;以及

通过将像素的目标块的属性值与和所述目标块相邻的多个块的属性值进行比较
来确定像素的目标块是否包括至少一个缺陷像素。

附记21.根据附记20所述的方法,该方法还包括以下步骤:响应于确定所述
目标块包括至少一个缺陷像素,基于相邻块的属性值来修改所述目标块的属性值,以
对视频数据执行补偿。

附记22.根据附记20所述的方法,该方法还包括以下步骤:

基于所述目标块的修改的属性值来将未修改的视频数据转换为修改的视频数据;
以及

基于所述修改的视频数据来生成模拟信号,以操作所述像素。

附记23.根据附记22所述的方法,其中,所述目标块的所述修改的属性值是
相邻块的属性值或所述相邻块的属性值的平均值中的一个。

附记24.根据附记20所述的方法,该方法还包括以下步骤:经由开关选择性
地将模数转换器ADC连接到像素的各个块,以从像素的各个块接收所述感测信号。

附记25.根据附记20所述的方法,该方法还包括以下步骤?#21644;?#36807;从各个块中
的全部像素接收电流来生成各个所述感测信号。

附记26.根据附记20所述的方法,其中,响应于确定属性值相对于所述目标
块的属性值偏离的相邻块的比率或数量超过预定比率或数量,所述目标块被确定为包
括至少一个缺陷像素。

附记27.根据附记20所述的方法,其中,响应于确定所述目标块的属性值相
对于相邻块的属性值的平均值的偏离超过阈值,所述目标块被确定为包括至少一个缺
陷像素。

附记28.根据附记20所述的方法,其中,经由像素的各个块中的全部像素所
共享的参考线从各个所述块发送各个所述感测信号。

附图?#24471;?br />

附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本?#24471;?#20070;并且构成本?#24471;?br />书的一部分,附图示出本发明的实施方式并且与?#24471;?#20070;一起用于?#24471;?#26412;发明的原理。
附图中:

图1示出有机发光二极管(OLED)显示器的装运之前的外部补偿?#20302;常?br />

图2示出OLED显示器的装运之后的外部补偿?#20302;常?br />

图3A、图3B和图3C示出根据本发明的示例性实施方式的外部补偿方法的原理;

图4是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的框图;

图5是示出根据本发明的第一实施方式的多像素感测方法的电路图;

图6是示出根据本发明的第二实施方式的多像素感测方法的电路图;

图7是示出根据一个实施方式的图5所示的多像素感测方法中的感测路径的电路
图;

图8是示出用于控制图7所示的子像素和感测路径的方法的波形图;

图9是示出图6所示的多像素感测方法中的感测路径的电路图;

图10是示出用于控制图9所示的子像素和感测路径的方法的波形图;

图11是示出根据一个实施方式的在正常驱动中向子像素供应输入图像的数据的
路径的电路图;

图12是示出用于控制图11所示的子像素和感测路径的方法的波形图;

图13示出多像素感测方法中可能出现的坏子像素的扩散;

图14是示出根据本发明的示例性实施方式的?#20048;够?#23376;像素的扩散的方法的流程
图;以及

图15示出用于?#20048;?#22270;14所示的坏子像素的扩散的方法的效果。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的实施方式,其示例示出于附图中。只要可能,贯穿附图
将使用相同的标号来指代相同或相似的部件。将注意的是,如果确定已知技术的详细
描述可误导本发明的实施方式,则它将被省略。

在以下描述中,块包括被同时感测的两个或更多个子像素并且可被解释为集合或
组。

根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的外部补偿系
统被分成装运之前的外部补偿?#20302;?#21644;装运之后的外部补偿?#20302;场?#22270;1示出装运之前的
外部补偿?#20302;场?#35013;运之前的外部补偿?#20302;?#21253;括显示模块100、数据调制器20和计算
机200。

显示模块100包括形成有像素阵列的显示面板10、显示面板驱动电路等。本发
明的实施方式利用基于每一块同时感测子像素的多像素感测方法来感测子像素的驱
动属性(或特性)。为此,本发明的实施方式在显示面板10的像素阵列上准备由两个
或更多个子像素共享的感测路径。如图4所示,显示面板驱动电路包括数据驱动器
12、选通驱动器13、定时控制器11等。数据驱动器12可被集成到驱动集成电路(以
下简称为“DIC”)中。利用数字数据输出感测值的模数转换器(ADC)可被嵌入数据
驱动器12中。

数据调制器20包括存储器MEM和补偿器GNUCIC。存储器MEM存储从计算
机200接收的各个块的补偿值。

显示面板驱动电路在计算机200的控制下将在各个灰度级下预先设定的感测数
据电压供应给子像素。被供应有感测数据电压的子像素中所流过的电流通过相邻子像
素彼此共享的感测路径被相加,并且被转换为数字数据。根据本发明的实施方式的多
像素感测方法通过共同地连接到包括在各个块中的子像素的感测路径来同时感测子
像素。

计算机200通过感测路径接收各个块的感测值并且收集在各个灰度级下块的感
测值。计算机200计算各个块的I-V传递特性并?#19968;?#24471;块的平均I-V传递曲线。计算
机200将确定子像素的平均I-V传递曲线的参数存储在数据调制器20的存储器MEM
中。另外,计算机200分析在各个灰度级下块的感测值,并且计算各个块的I-V传递
特性。计算机200将使各个块的I-V传递特性与块的平均I-V传递曲线之差最小化的
各个块的补偿值存储在数据调制器20的存储器MEM中。存储器MEM可以是闪存。

将表示显示面板10的驱动属性的平均I-V传递曲线存储在存储器MEM中的数
据调制器20在装运之后在被安装在显示模块100上的情况下被销售给消费者。显示
模块100与计算机200分离并且由主机?#20302;?00的制造商连接到主机?#20302;?00。主机
?#20302;?00可以是电视?#20302;场?#26426;顶?#23567;?#23548;?#36739;低场VD播放器、蓝光播放器、个人计
算机(PC)、家庭影?#21512;低?#21644;电话?#20302;?#20013;的一个。在电话?#20302;?#20013;,主机?#20302;?00包括
应用处理器(AP)。

如图2所示,装运之后的外部补偿?#20302;?#21253;括显示模块100和主机?#20302;?00。当显
示模块100被驱动时,数据调制器20的补偿器GNUCIC将输入图像数据调制到各个
块的补偿值并且将各个块的补偿值发送至DIC。因此,补偿了块的驱动属性的变化的
数据被写到子像素。装运之后的外部补偿?#20302;?#21487;在外部补偿?#20302;?#30340;驱动期间驱动感测
路径,并且可根据应用产品来更新各个块的感测值和各个块的补偿值,以基于显示面
板10的使用时间补偿子像素的驱动属性的下降(例如,驱动属?#36816;?#26102;间的改变)。

图3A、图3B和图3C示出根据本发明的实施方式的外部补偿方法的原理。根据
本发明的实施方式的外部补偿方法利用多像素感测方法通过一个感测路径同时感测
包括在各个块中的子像素。根据本发明的实施方式的外部补偿方法将具有相等间隔的
多个灰度级电压(即,感测电压)施加到子像素并?#19968;?#20110;每一块测量子像素的电流,
从而基于每一块计算子像素的驱动属性。例如,可基于每一块测量在七个灰度级中的
每一个下子像素的驱动属性。除了实际测量的灰度级以外的剩余灰度级基于近似表达
式来计算。因此,本发明的实施方式利用实际测量方法和近似测量方法来获得各个块
的I-V传递曲线。

根据本发明的实施方式的外部补偿方法将各个块的驱动属性相加,并且将相加值
除以块的数量,从而获得表示显示面板的驱动属性的平均I-V传递曲线。图3A所示
的平均I-V传递曲线21被存储在存储器MEM中。在图3A中,x轴是施加到驱动薄
膜晶体管(TFT)的栅极的数据电压Vdata,y轴是驱动TFT基于数据电压Vdata的
漏电流Id。

根据本发明的实施方式的外部补偿方法可基于在装运之前获得的各个块的感测
值来补偿装运之后的块的驱动属性的变化。?#22791;?#25454;所施加的场来正常地驱动装运之后
的OLED显示器时,可在各个感测周期中更新各个子像素的驱动属性的改变。

如图3B所示,根据本发明的实施方式的外部补偿方法将低灰度级电压Vl和高
灰度级电压Vh施加到子像素的驱动TFT的栅极,并且感测在低灰度级和高灰度级下
块的电流I,以测量在各个灰度级下子像素的驱动属性。块的电流指示彼此共享感测
路径并?#19968;?#20110;每一块被同时感测的子像素中流过的电流之和。如果利用与现有外部补
偿方法相同的方法来感测各个子像素的驱动属性,则无法感测在低灰度级下子像素的
电流,因为在低灰度级下子像素的电流过低。因此,无法获得图3B所示的传递曲线
22。

根据本发明的实施方式的外部补偿方法基于以每一块为基础感测的低灰度级感
测值和高灰度级感测值来获得针对所有灰度级的I-V传递曲线。换言之,根据本发明
的实施方式的外部补偿方法基于每一块同时感测彼此共享感测路径的子像素,并且利
用包括在各个块中的子像素中所流过的电流之和来感测低灰度级电流。因此,即使在
低灰度级下一个子像素的电流较低,根据本发明的实施方式的外部补偿方法也可感测
在低灰度级下子像素的驱动属性。

根据依据本发明的实施方式的外部补偿方法,由于包括在各个块中的子像素彼此
共享相同的感测路径,所以包括在各个块中的子像素的驱动属性作为在相同灰度级下
的一个值被感测。补偿值被确定为使基于各个块的感测值获得的各个块的I-V传递曲
线与显示面板的平均I-V传递曲线之差最小化的值。因此,由于各个块具有一个感测
值,所以属于各个块的子像素利用相同的补偿值来补偿。

补偿值包括图3B所示的式(Id=a’×(Vdata-b’)c)中的参数a、b和c。在图3B中,
Vdata是对驱动TFT的栅极施加的感测数据电压,c是常数,a’是增益值,b’是偏移
值。基于每一块补偿子像素的方法不如独立地补偿各个子像素的方法精确。然而,在
高分辨率子像素阵列的情况下,从用户使用肉眼的角度来看,两种方法之间在图像质
量方面没有差异。

各个块中定义图3C的传递曲线的参数a、b和c基于各个块的感测结果来获得。
要写到通过不同于显示面板10的平均I-V传递曲线的驱动属性来感测的块的子像素
的数据被调制到增益值“a”和偏移值“b?#34180;?#22240;此,块被补偿以使得其驱动属性符合显示
面板10的平均I-V传递曲线(目标I-V曲线)。在图3B和图3C中,目标I-V曲线
21指示显示面板的平均I-V传递曲线,补偿之前和补偿之后的I-V传递曲线22a指示
基于利用根据本发明的实施方式的多像素感测方法获得的各个块的感测值计算的各
个块的驱动属性(I-V传递曲线)。

根据将多像素感测方法与现有技术的单独地感测子像素的单感测方法比较的实
验结果,本发明人确认了用户肉眼感觉到的这两种方法的补偿效果之间几乎没有差
异。当分辨率进一步增加至UHD(超高清)、QHD(四倍高清)等时,用户很难用肉
眼感知到多像素感测方法和单感测方法的补偿效果之间的差异。图4是根据本发明的
实施方式的OLED显示器的框图。参照图4,根据本发明的实施方式的OLED显示器
包括显示面板10和显示面板驱动电路。显示面板驱动电路包括数据驱动器12、选通
驱动器13、定时控制器11等,并且将输入图像的数据写到子像素。

在显示面板10上,多条数据线14和多条选通线15彼此交叉,并且像素成矩阵
形式排列。输入图像的数据被显示在显示面板10的像素阵列上。显示面板10包括共
同地连接到相邻像素的参考电压线(以下称作“REF线”)以及用于向子像素供应高电
位驱动电压VDD的高电位驱动电压线(以下称作“VDD线”)。预定的参考电压REF
(参照图5和图7)通过REF线16(参照图5和图6)被供应给子像素。

选通线15包括被供应有第一扫描脉冲的多条第一扫描线以及被供应有第二扫描
脉冲的多条第二扫描线。在图6至图12中,S1表示第一扫描脉冲,S2表示第二扫描
脉冲。

各个像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素以便于表示颜色。各个像素
还可包括白色子像素。各个子像素连接到一条数据线、一对选通线、一条REF线、
一条VOD线等。一对选通线包括一条第一扫描线和一条第二扫描线。

本发明的实施方?#20132;?#20110;每一块同时感测彼此共享感测路径的子像素。各个块包括
彼此共享感测路径的子像素。各个块不限于共享感测路径的相邻子像素。例如,各个
块可包括彼此共享感测路径并且彼此分离开预定距离的子像素。

根据本发明的实施方式的多像素感测方法基于每一块同时感测包括在各个块中
的两个或更多个子像素的驱动属性。包括在同一块中的子像素的驱动属性被感测为一
个值。由于本发明的实施方式针对各个块具有一个感测值,所以本发明的实施方?#20132;?br />于这一个感测值选择一个补偿值。因此,本发明的实施方式将包括在各个块中的子像
素的驱动属性感测为一个感测值,并且将要写到各个块的子像素的数据调制?#20132;?#20110;该
感测值计算的相同补偿值。

在根据本发明的实施方式的OLED显示器中,存储感测值的存储器的容量与现
有技术的单感测方法中的存储器容量相比大大减小。这?#19988;?#20026;本发明的实施方式不是
从所有子像素分别检测感测值,而是从各自包括两个或更多个子像素的块检测感测
值。

如图5至图7以及图9所示,感测路径包括连接到相邻子像素的REF线16。感
测路径包括采样和保持电路SH和ADC。本发明的实施方?#20132;?#20110;每一块同时感测共
享感测路径的子像素,并且利用在各个块的子像素中流过的电流之和来感测各个块的
电流,从而稳定地感测在低灰度级下子像素的驱动属性。

在感测单个子像素的现有技术中,由于分别感测子像素的电流,所以子像素在低
灰度级下具有较小的感测电流。当分别感测共享REF线的子像素时,低灰度级下的
感测电流较小。因此,如果感测周期的长度没有充分增加,则无法感测在低灰度级下
子像素的驱动属性。另一方面,本发明的实施方式通过同一感测路径同时感测多个子
像素,并且利用子像素中流过的电流之和来感测子像素的驱动属性,从而感测在低灰
度级下子像素的驱动属性。因此,本发明的实施方式可通过增大感测电流来感测超出
ADC的范围的子像素的驱动属性。本发明的实施方式即使在低灰度级下也可通过增
大感测电流来稳定地感测需要低电流的高分辨率和高清晰度子像素的驱动属性。

数据驱动器12将装运之前从计算机200接收的感测数据转换为数据电压,并且
将该数据电压供应给数据线14。由于在被供应有感测数据电压的子像素中生成电流,
所以可在装运之前预先设定的各个灰度级下感测子像素的驱动属性。

在装运之后随时间推移分别感测块的驱动属性的改变的显示装置的情况下,数据
驱动器12在正常驱动中预先设定的各个感测周期中在定时控制器11的控制下将从定
时控制器11接收的感测数据转换为数据电?#20849;?#19988;将该数据电压供应至数据线14。感
测周期被布置在帧周期之间,并且可被指派为不接收输入图像的数据的消隐周期(即,
垂直消隐周期)。感测周期可包括紧接在显示装置被打开之后或者紧接在显示装置被
关闭之后的预定周期。

在装运之前和装运之后设定的感测周期被分成采样和保持电路SH的采样周期、
感测数据写入周期和感测数据读取周期。感测周期由图4所示的定时控制器11来控
制。

当在各个感测周期中感测子像素的驱动属性时,存储在存储器MEM中的各个块
的感测值被更新为?#20174;?#23376;像素的驱动属?#36816;?#26102;间推移的下降程度的值。这种补偿方法
可被应用于具有长寿命的应用产品(例如,电视)。

利用在装运之前测量的感测值来补偿子像素的驱动属性的变化,无法确保在装运
之后的单独的感测周期。在这种情况下,没有?#20174;?#22312;装运之后在消费者使用的同时子
像素的驱动属?#36816;?#26102;间推移的改变。这种补偿方法可被应用于短时间周期使用的应用
产品(例如,移动装置或可穿戴装置)。

感测数据电压在感测周期期间被施加到子像素的驱动TFT的栅极。在感测周期
期间感测数据电压使得驱动TFT导通并且使得电流流过驱动TFT。感测数据电压作
为预先设定的灰度值生成。感测数据电压根据预先设定的感测灰度级而变化。

计算机200或定时控制器11将在感测周期期间预先存储在内部存储器中的感测
数据SDATA(参照图8和图10)发送至数据驱动器12。感测数据SDATA被预?#28909;?br />定而不管输入图像的数据,并且用于基于每一块感测子像素的驱动属性。数据驱动器
12通过数模转换器(DAC)将作为数字数据接收的感测数据SDATA转换为伽马补偿
电?#20849;?#19988;将感测数据电压输出至数据线14。数据驱动器12通过ADC将感测数据电
压被供应至子像素?#24444;?#33719;得的各个块的感测电压转换为数字数据。数据驱动器12将
输出至ADC的感测值SEN发送给定时控制器11。各个块的感测电压与当感测数据
电压被供应至子像素?#24444;?#29983;成的属于各个块的子像素中流过的电流之和成比例。

数据驱动器12在显示输入图像的正常驱动周期期间通过DAC将从定时控制器
11接收的输入图像的数?#36136;?#39057;数据MDATA转换为数据电压,然后将数据电压供应
给数据线14。被供应给数据驱动器12的数?#36136;?#39057;数据MDATA是由数据调制器20
基于子像素的驱动属性的感测结果调制以补偿子像素的驱动属性的改变的数据。

连接到感测路径的电路元件可被嵌入数据驱动器12中。例如,数据驱动器12
可包括图7和图9中的采样和保持电路SH、ADC以及开关元件MR、MS、M1和
M2。

选通驱动器13在定时控制器11的控制下生成图8和图10所示的扫描脉冲S1
和S2,并且将扫描脉冲S1和S2供应给选通线15。选通驱动器13利用移位寄存器
使扫描脉冲S1和S2移位,因此可将扫描脉冲S1和S2?#26469;?#20379;应给选通线15。选通
驱动器13的移位寄存器可通过GIP(面板中选通驱动器)工艺连同显示面板10的像
素阵列一起直?#26377;?#25104;在显示面板10的基板上。

定时控制器11从主机?#20302;?00接收输入图像的数?#36136;?#39057;数据DATA以及与数字
视频数据DATA同步的定时信号。该定时信号包括垂直同步信号Vsync、水平同步信
号Hsync、时?#26377;?#21495;DCLK、数据使能信号DE等。

定时控制器11基于从主机?#20302;?00接收的定时信号生成用于控制数据驱动器12
的操作定时的数据定时控制信号DDC以及用于控制选通驱动器13的操作定时的选通
定时控制信号GDC。定时控制器11将从数据驱动器12接收的感测值SEN供应给数
据调制器20,并且将通过数据调制器20调制的数?#36136;?#39057;数据MDATA发送给数据驱
动器12。

选通定时控制信号GDC包括起始脉冲、移位时钟等。起始脉冲限定起始定时,
其使得在选通驱动器13的移位寄存器中生成第一输出。移位寄存器在起始脉冲被输
入时开始被驱动,并且按照第一时钟定时输出第一选通脉冲。移位时钟控制移位寄存
器的输出移位定时。

数据调制器20基于各个块的感测值SEN来选择预先设定的补偿值。数据调制器
20利用各个块的所选择的补偿值来调制将要写到包括在各个块中的子像素的输入图
像的数据。补偿值包括用于补偿驱动TFT的阈值电压的改变的偏移值“b”以及用于补
偿驱动TFT的迁移率的改变的增益值“a?#34180;?#23558;偏移值“b”与输入图像的数?#36136;?#39057;数据
DATA相加并且补偿驱动TFT的阈值电压的变化。将增益值“a”与输入图像的数?#36136;?br />频数据DATA相乘并且补偿驱动TFT的迁移率的改变。由于基于每一块获得感测值,
所以数据调制器20对将要写到属于各个块的子像素的数据施加相同的补偿值,并且
调制所述数据。计算显示面板的平均传递曲线、偏移值和增益值所需的参数被存储在
数据调制器20的存储器中。数据调制器20可被嵌入定时控制器11中。

图5是示出根据本发明的第一实施方式的多像素感测方法的电路图。参照图5,
根据本发明的第一实施方式的多像素感测方法同时感测彼此共享感测路径的两个子
像素P11和P12。作为示例,本发明的第一实施方式描述了水平地彼此相邻设置的子
像素被同时感测。另外,同时感测的子像素可彼此分离。

子像素P11和P12中的每一个包括OLED、驱动TFT DT、第一开关TFT ST1和
第二开关TFT ST2以及存储电容器C。像素电路不限于图5。

OLED包括形成在阳极和阴极之间的有机化合物层。有机化合物层可包括空穴注
入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL等,
但不限于此。

图5示出作为TFT ST1、TFT ST2和TFT DT的示例使用n型金属氧化物半导体
场效应晶体管(MOSFET)。在本发明的第一实施方式中,可使用p型MOSFET。TFT
ST1、TFT ST2和TFT DT可通过非晶硅(a-Si)TFT、多晶硅TFT和氧化物半导体
TFT或其组合中的一个来实现。

OLED的阳极经由第二节点B连接到驱动TFT DT。OLED的阴极连接到地电平
电压源并且被供应有地电平电压VSS。

驱动TFT DT根据驱动TFT DT的栅源电压Vgs来控制OLED中流过的电流
Ioled。驱动TFT DT包括连接到第一节点A的栅极、被供应有高电位驱动电压VDD
的漏极以及连接到第二节点B的源极。存储电容器C被连接在第一节点A与第二节
点B之间并且保持驱动TFT DT的栅源电压Vgs。

第一开关TFT ST1响应于第一扫描脉冲S1将来自数据线14的数据电压Vdata
施加到第一节点A。第一开关TFT ST1包括被供应有第一扫描脉冲S1的栅极、连接
到数据线14的漏极以及连接到第一节点A的源极。

第二开关TFT ST2响应于第二扫描脉冲S2打开或关闭第二节点B与REF线16
之间的电流路径。第二开关TFT ST2包括被供应有第二扫描脉冲S2的栅极、连接到
第二节点B的漏极以及连接到REF线16的源极。

位于REF线16的左侧和?#20063;?#30340;相邻子像素P11和P12彼此共享包括REF线16
的感测路径,并?#20197;?#24863;测周期期间被同时感测。由于流过REF线16的电流“i”的量比
单感测方法中大大约两倍,所以本发明的第一实施方式可感测在低于ADC的下限的
低灰度级下子像素P11和P12的驱动属性。

图6是示出根据本发明的第二实施方式的多像素感测方法的电路图。参照图6,
根据本发明的第二实施方式的多像素感测方法同时感测彼此共享感测路径的四个子
像素P11、P12、P21和P22。设置在像素阵列的第N行上的第一子像素P11和第二
子像素P12以及设置在像素阵列的第(N+1)行上的第三子像素P21和第四子像素P22
水平地以及垂直地彼此相邻,并且彼此共享包括REF线16的感测路径,其中N是正
整数。作为示例,本发明的第二实施方式描述了水平地以及垂直地相邻设置的子像素
被同时感测。在其它实施方式中,被同时感测的子像素可彼此分离,而非彼此相邻。
由于子像素P11、P12、P21和P22中的每一个的结构基本上与图5所示的本发明的
第一实施方式相同,所以进一步的描述可简要进行或者可被完全省略。共享包括REF
线16的感测路径的子像素P11、P12、P21和P22在感测周期期间被同时感测。由于
流过REF线16的电流“i”的量比单感测方法中大大约四倍,所以本发明的第二实施方
式可感测在低于ADC的下限的低灰度级下子像素P11、P12、P21和P22的驱动属性。

图7是示出图5所示的多像素感测方法中的感测路径的电路图。图8是示出控制
图7所示的子像素和感测路径的方法的波形图。作为示例,图7和图8示出两个子像
素如图5所示被同时感测。

参照图7和图8,根据本发明的实施方式的OLED显示器还包括连接在REF线
16与多条数据线14之间的解复用器(以下简称为“DMUX”)M1和M2、连接到REF
线16的第一感测开关MS、REF开关MR、连接在REF线16与采样和保持电路SH
之间的第二感测开关SW2、连接到采样和保持电路SH的ADC、连接在REF线16
与DAC之间的数据开关SW1等。

在感测周期期间,感测数据电压被供应给子像素P11和P12。感测数据SDATA
可作为低灰度级数据和高灰度级数据被生成。低灰度级数据可在8比特数据中的2
比特的最高有效位(MSB)为“00”的低灰度级数据当中选择。高灰度级数据可在8
比特数据中的2比特的最高有效位(MSB)为“11”的低灰度级数据当中选择。

在感测周期期间,DAC将通过数据驱动器12接收的感测数据SDATA转换为模
拟伽马补偿电?#20849;?#19988;生成感测数据电压。在正常驱动周期期间,DAC将通过数据驱
动器12接收的输入图像的数据MDATA转换为模拟伽马补偿电?#20849;?#19988;生成要显示在
像素上的数据的数据电压。DAC的输出电压是数据电?#20849;?#19988;通过DMUX M1和M2
被供应给数据线14。DAC可被嵌入数据驱动器12中。

在感测周期期间,采样和保持电路SH将各个块的子像素中流过的电流“i”之和转
换为感测电?#20849;?#19988;将感测电压输入到ADC。ADC将感测电压转换为数字数据并且输
出各个块的感测值SEN。各个块的感测值SEN通过定时控制器11被发送给数据调制
器20。ADC可被嵌入数据驱动器12中。

在感测周期期间,DMUX M1和M2在定时控制器11的控制下将从DAC输出的
感测数据电压分配给第一数据线和第二数据线14。在正常驱动周期期间,DMUX M1
和M2在定时控制器11的控制下将从DAC输出的输入图像的数据电压分配给第一数
据线和第二数据线14。DMUX M1和M2将DAC的输出分配给多条数据线14,进而
能够减少数据驱动器12的输出通道的数量。由于数据驱动器12的输出通道可直接连
接到数据线14,所以DMUX M1和M2可被省略。

DMUX M1被连接在REF线16与第一数据线14之间,DMUX M2被连接在REF
线16与第二数据线14之间。DMUX M1和M2可被嵌入数据驱动器12中,或者可
直?#26377;?#25104;在显示面板10上。在图7的示例中,第一数据线14是位于REF线16的左
侧的数据线14,第二数据线14是位于REF线16的?#20063;?#30340;数据线14。

DMUX M1响应于第一DMUX信号DMUX1通过第一数据线14将从DAC输出
的数据电压供应给子像素P11。DMUX M2响应于第二DMUX信号DMUX2通过第
二数据线14将从DAC输出的数据电压供应给子像素P12。

第一感测开关MS在定时控制器11的控制下打开或关闭感测路径。REF开关
MR在定时控制器11的控制下打开或关闭参考电压REF的传输路径。参考电压REF
的传输路径包括REF开关MR、REF线16和第二开关TFT ST2。参考电压REF通过
参考电压REF的传输路径被供应给子像素P11和P12的第二节点B。

REF开关MR响应于从定时控制器11接收的SWR信号而导通。SWR信号与控
制数据开关SW1的控制信号(以下称作“SW1信号”)同步。SWR信号和SW1信号
中的每一个的脉冲?#20013;?#26102;间可为大约两个水平周期,但不限于此。SWR信号和SW1
信号与第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)同步。第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)可被生成为具有
约一个水平周期1H的脉冲宽度,但是不限于此。第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)与第一
DMUX信号DMUX1和第二DMUX信号DMUX2交叠。“S1(1)?#21271;?#31034;用于?#20849;?#32622;在像
素阵列的第N行上的子像素P11和P12的第一开关TFT ST1导通的扫描脉冲。“S1(2)”
表示用于?#20849;?#32622;在像素阵列的第(N+1)行上的子像素的第一开关TFT ST1导通的扫描
脉冲。

SWR信号和SW1信号的脉冲?#20013;?#26102;间与第一DMUX信号DMUX1和第二
DMUX信号DMUX2交叠。第一DMUX信号DMUX1和第二DMUX信号DMUX2
中的每一个可作为具有1/2水平周期的脉冲宽度的信号而生成,但不限于此。第二
DMUX信号DMUX2比第一DMUX信号DMUX1晚生成。

继REF开关MR之后,第一感测开关MS响应于从定时控制器11接收的SWS
信号而导通。

SWS信号继SWR信号之后升高,并且具有比SWR信号长的脉冲?#20013;?#26102;间。SWS
信号与控制第二感测开关SW2的控制信号(以下称作“SW2信号”)同步。因此,第
一感测开关MS和第二感测开关SW2同时导通。在图8的示例中,SWS信号和SW2
信号中的每一个具有七个水平周期的脉冲?#20013;?#26102;间,但不限于此。

第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)与第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)同时升高,并且比第一
扫描脉冲S1(1)和S1(2)晚下降。在图8的示例中,第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)中的每
一个具有九个水平周期的脉冲?#20013;?#26102;间,但不限于此。第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)
的脉冲?#20013;?#26102;间与SW1信号、SW2信号、SWR信号、SWS信号以及第一DMUX信
号DMUX1和第二DMUX信号DMUX2交叠。“S2(1)?#21271;?#31034;用于?#20849;?#32622;在像素阵列的
第N行上的子像素P11和P12的第二开关TFT ST2导通的扫描脉冲。“S2(2)?#21271;?#31034;用
于?#20849;?#32622;在像素阵列的第(N+1)行上的子像素的第二开关TFT ST2导通的扫描脉冲。

当感测第N行的子像素P11和P12时,感测数据电压被供应给子像素P11和P12
的第一节点A,并且参考电压REF被供应给子像素P11和P12的第二节点B。在这
种情况下,感测数据电压被供应给子像素P11和P12中的每一个的驱动TFT DT的栅
极。结果,电流“i”开始通过驱动TFT DT在感测路径中流过。

当子像素P11和P12的第一感测开关MS和第二开关TFT ST2导通时,子像素
P11和P12的电流“i”沿着REF线16流过。在这种情况下,在共享感测路径的子像素
P11和P12中流过的电流被增加到REF线16,REF线16中的电流的量是感测一个子
像素时REF线16中的电流的量的两倍。在图8中,“VS(1)?#21271;?#31034;增加至第N行的子
像素P11和P12中流过的电流之和的感测电压。被施加到REF线16的感测电压被采
样和保持电路SH采样,并且通过ADC被转换为数字数据。从ADC输出的感测值
SEN被发送给定时控制器11。

在同时感测第N行的子像素之后,同时感测共享感测路径的第(N+1)行的子像素
的驱动属性。在图8中,“VS(2)”是增加至第(N+1)行的子像素中流过的电流之和的感
测电压。

图9是示出图6所示的多像素感测方法中的感测路径的电路图。图10是示出用
于控制图9所示的子像素和感测路径的方法的波形图。作为示例,图9和图10示出
四个子像素如图6所示被同时感测。

参照图9和图10,根据本发明的实施方式的OLED显示器还包括连接在REF线
16与多条数据线14之间的DMUX M1和M2、连接到REF线16的第一感测开关MS、
REF开关MR、连接在REF线16与采样和保持电路SH之间的第二感测开关SW2、
连接到采样和保持电路SH的ADC、连接在REF线16与DAC之间的数据开关SW1
等。

由于图9所示的像素阵列的结构基本上与图7所示的像素阵列的结构相同,所以
进一步的描述可简要进行或者可被完全省略。如图10所示,在感测数据电压被供应
给两行的子像素P11、P12、P21和P22之后,被供应给这两行的子像素P11、P12、
P21和P22的第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)彼此交叠。因此,设置在这两行上的四个子
像素P11、P12、P21和P22被同时感测。

第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)限定感测数据写入周期。第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)
限定感测数据读取周期。

SWR信号和SW1信号的脉冲?#20013;?#26102;间与第一DMUX信号DMUX1和第二
DMUX信号DMUX2交叠。在图10的示例中,SWR信号和SW1信号中的每一个被
生成为具有三个水平周期的脉冲宽度的信号,但不限于此。在SW1信号的脉冲?#20013;?br />时间期间生成DMUX信号DMUX1和DMUX2中的每一个两次,使得感测数据电压
可被供应给四个子像素P11、P12、P21和P22。DMUX信号DMUX1和DMUX2中
的每一个可作为1/2水平周期的脉冲被生成两次。第二DMUX信号DMUX2在第一
DMUX信号DMUX1之后生成。

SWS信号继SWR信号之后升高,并且具有比SWR信号长的脉冲?#20013;?#26102;间。SWS
信号与SW2信号同步。

第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)与第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)同时升高并且比第一扫
描脉冲S1(1)和S1(2)晚下降。第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)的脉冲?#20013;?#26102;间与SW1信
号、SW2信号、SWR信号、SWS信号以及第一DMUX信号DMUX1和第二DMUX
信号DMUX2交叠。第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)彼此交叠,以同时感测设置在第N
行和第(N+1)行上的四个子像素。由于设置在多行上的子像素必须通过子像素所共享
的感测路径彼此电连接,以同时感测设置在多行上的子像素,所以两个或更多个第二
扫描脉冲S2(1)和S2(2)必须彼此交叠。“S2(1)?#21271;?#31034;用于?#20849;?#32622;在像素阵列的第N行
上的子像素P11和P12的第二开关TFT ST2导通的扫描脉冲。“S2(2)?#21271;?#31034;用于?#20849;?br />置在像素阵列的第(N+1)行上的子像素P21和P22的第二开关TFT ST2导通的扫描脉
冲。

用于感测四个子像素的多像素感测方法将感测数据电压供应给子像素P11和P12
的第一节点A并且将参考电压REF供应给子像素P11和P12的第二节点B。在这种
情况下,感测数据电压被供应给共享感测路径的子像素P11、P12、P21和P22中的
每一个的驱动TFT DT的栅极,并且电流“i”通过驱动TFT DT开始在感测路径中流过。

当子像素的第一感测开关MS和第二开关TFT ST2导通时,子像素的电流“i”沿
着REF线16流动。在这种情况下,在共享感测路径的子像素P11、P12、P21和P22
中流过的电流被增加到REF线16,REF线16的电流增加至感测一个子像素时REF
线16的电流的四倍。在图10中,“VS(1~4)?#21271;?#31034;增加至第N行和第(N+1)行的子像素
P11、P12、P21和P22中流过的电流之和的感测电压。被施加到REF线16的感测电
压被采样和保持电路SH采样并且通过ADC被转换为数字数据。从ADC输出的感测
值SEN被发送给定时控制器11。如上所述,在共享感测路径的两行的子像素被同时
感测之后,同时感测共享感测路径的下两行的子像素。

在第N行和第(N+1)行的子像素P11、P12、P21和P22被同时感测之后,共享感
测路径的第(N+2)行和第(N+3)行(未示出)的子像素的驱动属性被同时感测。在图
10中,“VS(5~8)?#21271;?#31034;增加至共享感测路径的第(N+2)行和第(N+3)行的四个子像素中
流过的电流之和的感测电压。

图11是示出在正常驱动中将输入图像的数据供应给子像素的路径的电路图。图
12是示出用于控制图11所示的子像素和感测路径的方法的波形图。参照图11和图
12,在正常驱动模式下基于每一行将输入图像的数据写到子像素。为此,如图11所
示,开关元件SW1、MS、MR、M1和M2导通,因此形成数据电压传送路径和参考
电压路径。开关元件SW2截止。

第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)被移位寄存器?#26469;我?#20301;。第二扫描脉冲S2(1)和S2(2)
按照与第一扫描脉冲S1(1)和S1(2)相同的方式被移位寄存器?#26469;我?#20301;。供应给同一子
像素的第一扫描脉冲和第二扫描脉冲彼此同步。在正常驱动模式下,参考电压REF
被供应给第二节点B,输入图像的数据电压被供应给第一节点A。在图12中,“DATA”
是与第一扫描脉冲和第二扫描脉冲同步的输入图像的数据,并且被写到子像素。在正
常驱动模式下,输入图像的数据电压被施加到子像素的第一节点A,即,驱动TFT
的栅极。

在显示面板10的子像素当中可能存在坏子像素。坏子像素可能由于制造工艺的
缺陷而生成。如果在装运之后正常子像素的寿命将要结束,则它可能留在显示面板上
成为坏子像素。坏子像素被分成看起来亮的亮斑坏子像素以及看起来暗的暗斑坏子像
素。由于多像素感测方法基于每一块同时感测包括在各个块中的多个子像素并且生成
各个块中的感测值,所以多像素感测方法从包括在各个块中的全部多个子像素获得相
同的感测值。因此,如图13所示,当块B22中存在坏子像素时,由于坏子像素,包
括坏子像素的块的感测值与位于包括坏子像素的块周围的块的感测值之间可能存在
较大差异。在这种情况下,坏子像素可能看起来就像它扩散至块的大小一样。

由于暗斑坏子像素,包括暗斑坏子像素的块的感测值小于包括暗斑坏子像素的块
周围的相邻块的感测值。因此,由于包括暗斑坏子像素的块的补偿值大于相邻块的补
偿值,所以包括暗斑坏子像素的块B22的数据被过度补偿。结果,如图13所示,块
B22的除了暗斑坏子像素以外的剩余子像素看起来比相邻块B11-B13、B21、B23和
B31-B33更亮。由于暗斑坏子像素没有被正常驱动,所以不管数据如何暗斑坏子像素
看起来是黑的。

由于亮斑坏子像素,包括亮斑坏子像素的块的感测值大于包括亮斑坏子像素的块
周围的相邻块的感测值。因此,由于包括亮斑坏子像素的块的补偿值小于相邻块的补
偿值,所以包括亮斑坏子像素的块B22的数据没有被充分补偿。结果,块B22的除
了亮斑坏子像素以外的剩余子像素看起来比相邻块B11-B13、B21、B23和B31-B33
更暗。由于亮斑坏子像素没有被正常驱动,所以不管数据如何亮斑坏子像素看起来是
亮的。

如图14和图15所示,本发明的实施方式对在相同灰度级下获得的块的感测值进
行比较,并且当块的感测值之间的差异异常大时,对与平均值具有较大差异的块的感
测值进行校正,以?#20048;?#22810;像素感测方法中可能出现的坏子像素的扩散现象。

图14是示出根据本发明的实施方式的?#20048;够?#23376;像素的扩散的方法的流程图。如
果通过定时控制器11或数据调制器20执行?#35272;?#25955;方法,则可在装运之前和装运之后
应用?#35272;?#25955;方法。图15示出用于?#20048;?#22270;14所示的坏子像素的扩散的方法的效果。在
图14中,目标块指示包括坏子像素的第22块B22,相邻块指示设置在目标块B22
周围的块B11-B13、B21、B23和B31-B33。

参照图14和图15,在步骤S1和S2中,本发明的实施方式将感测数据电压供应
给子像素并?#19968;?#24471;各个块的感测值。感测数据电压生成低灰度级电压和高灰度级电
压。

?#22791;?#28784;度级电压被供应给子像素时,可基于目标块B22的感测值与相邻块
B11-B13、B21、B23和B31-B33之间的差异来检测包括暗斑坏子像素的块。由于即
使?#22791;?#28784;度级电压被供应给暗斑坏子像素时电流也?#25442;?#22312;暗斑坏子像素中流过,所以
包括暗斑坏子像素的块的电流远小于相邻块B11-B13、B21、B23和B31-B33。

当低灰度级电压被供应给子像素时,可基于目标块B22的感测值与相邻块
B11-B13、B21、B23和B31-B33之间的差异来检测包括亮斑坏子像素的块。由于即
使当低灰度级电压被供应给亮斑坏子像素时大量电流也会在亮斑坏子像素中流过,所
以包括亮斑坏子像素的块的电流远大于相邻块B11-B13、B21、B23和B31-B33。

在步骤S3和S4中,本发明的实施方式将在相同灰度级下获得的目标块B22的
感测值与相邻块B11-B13、B21、B23和B31-B33的感测值进行比较,以检测坏子像
素。需要一个或更多个相邻块以与目标块进行比较。可考虑坏子像素的检测精度和处
理速度来正确地选择与目标块进行比较的相邻块的数量和位置。块的感测值被存储在
存储器MEM中。

本文中描述了感测目标块B22以及相邻块B11-B13、B21、B23和B31-B33的方
法。对一个或更多个相邻块的感测值与目标块的感测值进行比较。多个块可用作与目
标块进行比较的相邻块。在这种情况下,当感测值与目标块的感测值不同的相邻块的
数量大于感测值基本上与目标块的感测值相同的相邻块的数量时,确定目标块中存在
坏子像素。另外,即使当相邻块的感测值与目标块的感测值之间的差异等于或大于预
定临界值时,也可确定目标块中存在坏子像素。预定临界值可被确定为当目标块的感
测值与相邻块的感测值之间的差异为20%?#24444;?#33719;得的值,但不限于此。

另选地,存在将从多个相邻块获得的感测值的平均感测值与目标块的感测值进行
比较的方法。当相邻块的平均感测值与目标块的感测值之间存在差异时,确定目标块
中存在坏子像素。另外,即使当相邻块的平均感测值与目标块的感测值之间的差异等
于或大于预定临界值时,可确定目标块中存在坏子像素。

?#34987;?#20110;相邻块的感测值与目标块的感测值的比较结果,确定目标块B22是包括
坏子像素的块时,在步骤S5中,本发明的实施方式将目标块的感测值改变为相邻块
的感测值或者相邻块的平均感测值(或者利用相邻块的感测值或者相邻块的平均感测
值代替目标块的感测值)。另选地,本发明的实施方式可将相邻块的感测值与目标块
的感测值之差与目标块的感测值相加,或者从目标块的感测值中减去相邻块的感测值
与目标块的感测值之差,并且可将目标块的感测值改变为相邻块的感测值。

在步骤S6中,根据本发明的实施方式的外部补偿方法基于各个块的感测值来选
择各个块的补偿值并且补偿子像素的驱动属性的变化。

如上所述,本发明的实施方式同时感测共享感测路径的多个子像素,并且即使在
低灰度级下也可稳定地感测子像素的驱动属性。另外,本发明的实施方式可通过感测
高分辨率和高清晰度像素的驱动属性并且补偿驱动属性的下降来改进图像质量。另
外,本发明的实施方式可通过同时感测共享感测路径的多个子像素来使显示面板的感
测路径的数量最小化,从而增大子像素的孔径比并且减少感测时间。

本发明的实施方式可通过基于每一块检测感测值来极大地减小存储感测值的存
储器的容量,因此可?#26723;?#30005;路成本。

另外,本发明的实施方式将在相同灰度级下获得的块的感测值进行比较,并且当
块的感测值之间存在较大差异时,对相对于平均感测值具有较大差异的块的感测值进
行校正,从而?#20048;?#22810;像素感测方法中可能出现的坏子像素的扩散。

尽管已参照多个例示性实施方式描述了实施方式,但是应该理解,本领域技术人
员可以想出将落入本公开的原理的范围内的许多其它修改方式和实施方式。更具体地
讲,在本公开、附图和所附权利要求书的范围内,可在组成部件和/或主题组合布置
方式方面进行各种变化和修改。除了在组成部件和/或布置方式方面的变化和修改以
外,对于本领域技术人员而言,替代使用也将是显而易见的。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年11月10日提交的韩国专利申请No.10-2015-0157564的权益,
出于所有目的,其完整内容通过引用并入本文,如同在本文中充分阐述一样。

关于本文
本文标题:有机发光二极管显示器及其驱动方法.pdf
链接地址:http://www.pqiex.tw/p-6079768.html
关于我们 - 网站声明 - 网?#38236;?#22270; - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

[email protected] 2017-2018 zhuanlichaxun.net网站版权所有
经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
 


收起
展开
平码五不中公式规律 北京赛车pk10信誉群 七星彩走势图下载 重庆百变王牌开奖势图 体彩排列五走势图 广东十一选五走势图表 新疆11选5任选基本走势图 最正规的棋牌排行 网络棋牌玩法技巧 中国福利彩票投注技巧 微信代购彩票合法么