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半导体封装件的制法.pdf

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半导体 封装 制法
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摘要
申请专利号:

CN201310015586.4

申请日:

2013.01.16

公开号:

CN103915351A

公开日:

2014.07.09

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法?#19978;?#24773;: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/56申请日:20130116|||公开
IPC分类号: H01L21/56; G03F7/20 主分类号: H01L21/56
申请人: 矽品精密工业股份有限公司
发明人: 陈彦亨; 张江城; 黄荣邦; 许习彰; 廖宴逸
地址: 中国台湾台中市
优?#28909;ǎ?/td> 2013.01.03 TW 102100085
专利代理机构: ?#26412;?#25096;程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
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法律状态
申请(专利)号:

CN201310015586.4

授权公告号:

||||||

法律状态公告日:

2016.09.28|||2014.08.06|||2014.07.09

法律状态类型:

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

一种半导体封装件的制法,包括设置至少一半导体组件于一透明承载件上,其中,该透明承载件表面上形成有胶层,该胶层与透明承载件之间形成有光罩,且该至少一半导体组件通过该胶层粘附于该透明承载件上;进行曝光显影步骤,以移除未为该至少一半导体组件所覆盖的胶层部分;形成包覆该至少一半导体组件的封装胶体;以及移除该透明承载件及剩余的胶层。本发明将?#21450;?#21270;的薄膜形成于胶层与透明承载件之间,以作为光罩,可减少光罩与胶层之间的距离,避免曝光光线通过光罩和透明承载件产生绕射之后放大误差,所以可更提升曝光精确度及产品信赖性。

权利要求书

权利要求书
1.  一种半导体封装件的制法,包括:
设置至少一半导体组件于一透明承载件上,其中,该透明承载件表面上形成有胶层,该胶层与透明承载件之间形成有光罩,且该至少一半导体组件通过该胶层粘附于该透明承载件上;
进行曝光显影步骤,以移除未为该至少一半导体组件所覆盖的胶层部分;
形成包覆该至少一半导体组件的封装胶体;以及
移除该透明承载件及剩余的胶层。

2.  根据权利要求1所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该胶层与透明承载件之间形成有覆盖该光罩的离型层。

3.  根据权利要求1所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该光罩为光罩膜。

4.  根据权利要求3所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该光罩膜为金属膜。

5.  根据权利要求1所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该胶层的材质为光固性胶。

6.  根据权利要求1所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该透明承载件具有相对的第一表面和第二表面,且该光?#20013;?#25104;于该第一表面。

7.  根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该曝光显影步骤包括自该透明承载件的第二表面照光。

8.  根据权利要求1所述的半导体封装件的制法,其特征在于,形成封装胶体时,还包括通过支撑件将该封装胶体压制于该至少一半导体组件上,以包覆该至少一半导体组件。

说明书

说明书半导体封装件的制法
技术领域
本发明涉及一种半导体封装件及其制法,尤指一种能提升曝光精确度的半导体封装件制法及据此所得的半导体封装件。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,?#32440;?#30005;子产品均朝向微型化、多功能、高电性及高速运作的方向发展。例如,随着前端半导体芯片工艺的集积化,半导体芯片的主动面上形成有密集的电极垫,以提供信号的输入/输出(I/O)。为了配合此一发展趋势,后端半导体业者积极研发能利用互连结构将该等电极垫传输的信号扇出的半导体封装件,例如扇出式封装件。
在是种封装件中,如芯片的半导体组件通常通过一封装胶体镶嵌至一承载件。之后,该承载件会被移除,并在该半导体组件上形成互连结构。如图1A至图1G所示,其显示一种扇出式封装件的制法。
如图1A所示,提供一表面上依序形成有离型层11和胶层12的透明承载件10,该胶层12上设置有半导体组件13。
如图1B所示,于该透明承载件10的底面10b上接置一光罩14,并进行曝光工艺。
如图1C所示,移除未曝光的胶层12部分。
接着,如图1D及图1E的?#25215;潁?#36890;过一支撑件16使封装胶体15包覆该半导体组件13,并移除该透明承载件10。最后如图1F所示,移除剩余的该胶层12。
然而,该光罩14设于透明承载件10的底面10b,且透明承载件10的厚度约有700μm,?#19988;裕?#26333;光光线通过光罩14产生绕射,再通过一厚度较大的介?#21097;?#23558;使得曝光图形变形。尤其因设置半导体组件时,该半导体组件13的部分通常会陷入该胶层12(如图1A所示),所以必须于曝光时定义出半导体组件投影区域外的胶层部分,以于后续步骤 移除的,但因曝光图形变形导致于图1C所示的步骤无法移除半导体组件13周围的胶层12,使得形成封装胶体15时,无法完整包覆半导体组件13的侧面,进行令该半导体组件13侧面与封装胶体15形成间隙g。如果接着于该半导体组件上形成互连结构,例如图1G所示的形成于该半导体组件13上的包括导电迹线171和绝缘层172的线?#20998;?#24067;结构17和导电组件18,势必容易因该间隙g影响产品信赖性。
因此,如何克服现有技术中的种种问题,实已成目前?#25509;?#35299;决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺点,本发明的主要目的在于提供一种半导体封装件的制法,可更提升曝光精确度及产品信赖性。
本发明的半导体封装件的制法,包括:设置至少一半导体组件于一透明承载件上,其中,该透明承载件表面上形成有胶层,该胶层与透明承载件之间形成有光罩,且该至少一半导体组件通过该胶层粘附于该透明承载件上;进行曝光显影步骤,以移除未为该至少一半导体组件所覆盖的胶层部分;形成包覆该至少一半导体组件的封装胶体;以及移除该透明承载件及剩余的胶层。
本发明将?#21450;?#21270;的薄膜形成于胶层与透明承载件之间,以作为光罩,此薄膜的厚度很薄,尤其是相比于传?#31216;?#20809;显影的光罩厚度,所以于大幅减少光罩与胶层之间的距离后,得以避免曝光光线通过光罩和透明承载件因产生绕射所放大的误差,提升曝光精确度及产品信赖性。
附图说明
图1A至图1G为现有扇出式封装件的制法剖面示意图;以及
图2A至图2H为本发明的半导体封装件的制法的剖面示意图,其中,图2A’为图2A的俯视图。
【符号说明】
10,20    透明承载件
10b      底面
11,21    离型层
12,22    胶层
13,23    半导体组件
14       光罩
15,25    封装胶体
16,26    支撑件
17,27    线?#20998;?#24067;结构
171,271  导电迹线
172,272  绝缘层
18,28    导电组件
2        半导体封装件
20a      第一表面
20b      第二表面
24       光罩膜
23a      作用面
23b      非作用面
231      电极垫
25a      顶面
25b      底面
g        间隙
L        照光。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地?#31169;?#26412;发明的其它优点及功效。
须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供本领域技术人员的?#31169;?#19982;阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,所以不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所 能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上?#34180;ⅰ?#39030;?#34180;ⅰ?#24213;?#34180;ⅰ?#31532;一?#34180;ⅰ?#31532;二”及“一”等用语,?#27493;?#20026;便于叙述的明了,而非用以限定本发明可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,?#24065;?#35270;为本发明可实施的范畴。
图2A至图2H为本发明的半导体封装件的制法的剖面示意图。
首先,于进行曝光显影步骤之前,设置至少一半导体组件23于一透明承载件20上,其中,该透明承载件20表面上形成有胶层22,该胶层22与透明承载件20之间形成有光罩,且该至少一半导体组件23通过该胶层22粘附于该透明承载件20上。
具体而言,如图2A及图2A’所示,提供一具有相对的第一表面20a和第二表面20b的透明承载件20,于该第一表面20a上形成一光罩膜24,例如,利用化学气相沉积法于该第一表面20a上形成?#21450;?#21270;的金属膜,其材质可为铝。由此,所得的薄膜厚度可薄至0.1μm。
如图2B所示,?#37096;?#21033;用化学气相沉积法,于该透明承载件20的第一表面20a及光罩膜24上形成离型层21,接着于该离型层21上形成胶层22,其材质可为光固性胶,例如紫外光可固化胶。该胶层22与透明承载件20之间形成有覆盖该光罩膜24的离型层21,则该透明承载件20和光罩膜24即可重复使用,达到节省成本和简化工艺的效果。
如图2C所示,将至少一半导体组件23(本图以二个半导体组件说明)设于该透明承载件20的胶层22上。该半导体组件23具有相对的作用面23a和非作用面23b,该作用面23a上具有多个电极垫231,且将该作用面23a接置于该胶层22上。
接着,如图2D及图2E所示,进行曝光显影步骤,也就是包括自该透明承载件20的第二表面20b照光L,再移除未为该至少一半导体组件23所覆盖的胶层22部分。
如图2F所示,形成封装胶体25时,可包括通过支撑件26将该封装胶体25压制于该半导体组件23上,以包覆该半导体组件23。
如图2G所示,移除该透明承载件20及剩余的胶层22。
此外,可如图2H所示,于该半导体组件23上形?#19978;唄分?#24067;结构 27和如?#30422;?#30340;导电组件28,该线?#20998;?#24067;结构27包括形成于该半导体组件23及封装胶体25的顶面25a上的导电迹线271以及覆盖于该半导体组件23、封装胶体25的顶面25a及导电迹线271上的绝缘层272,该绝缘层272外露部分导电迹线271,以供形成导电组件28。由于精准的曝光可减少间隙的产生,所以可提升产品信赖性。
根据前述的制法,本发明提供一种半导体封装件2,包括:封装胶体25,其具有相对的顶面25a和底面25b;以及至少一半导体组件23,其嵌埋于该封装胶体25中,该封装胶体25的顶面25a外露出该至少一半导体组件23。
于一具体实施例中,该半导体封装件2还包括支撑件26,如玻璃,其设于该封装胶体25的底面25b上,且该至少一半导体组件23具有相对的作用面23a和非作用面23b,且该封装胶体25的顶面25a外露出该至少一半导体组件23的作用面23a。
于另一具体实施例中,该作用面23a与该封装胶体25的顶面25a具有一段差,例如约10μm的段差。
综上所述,本发明将?#21450;?#21270;的薄膜形成于胶层与透明承载件之间,以作为光罩,因此光线通过光罩后不再穿?#33014;?#24230;很厚的透明承载件,所以于大幅减少光罩与胶层之间的距离后,得以避免曝光光线通过光罩和透明承载件因产生绕射所放大的误差,提升曝光精确度及产品信赖性。
上述实施例仅用以例示?#36816;?#26126;本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何本领域技术人?#26412;?#21487;在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围,应如权利要求书所列。

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本文标题:半导体封装件的制法.pdf
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