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掩膜版、掩膜图案生成控制系统及方法、掩膜系统.pdf

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掩膜版 图案 生成 控制系统 方法 系统
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摘要
申请专利号:

CN201410112466.0

申请日:

2014.03.24

公开号:

CN103913957A

公开日:

2014.07.09

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法?#19978;?#24773;: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20140324|||公开
IPC分类号: G03F7/20; G03F1/76(2012.01)I 主分类号: G03F7/20
申请人: 京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司
发明人: 沈奇雨
地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
优?#28909;ǎ?/td>
专利代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;安利霞
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法律状态
申请(专利)号:

CN201410112466.0

授权公告号:

||||||

法律状态公告日:

2016.08.17|||2014.08.06|||2014.07.09

法律状态类?#20572;?/td>

授权|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明实施例提供了一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法,上述的掩膜版,包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述图案形成腔的底部为一水平面,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通,使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下,进入所述图案形成腔,并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。本发明?#26723;?#20102;掩膜版的成本。

权利要求书

权利要求书
1.  一种掩膜版,包括一能够透过曝光激励的本体,其特征在于,所述本体内形成有一图案形成腔,所述图案形成腔的底部为一水平面,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通,使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下,进入所述图案形成腔,并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

2.  根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述曝光激励为紫外线,所述粉状物质为磁粉,所述图案生成激励为磁场。

3.  根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述本体上还形成有一从外?#23458;?#21521;所述容纳腔的通道,所述掩膜版还包括:
开口控制单元,用于打开或关闭所述通道。

4.  一种掩膜图案生成控制系统,用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案,其特征在于,所述掩膜版具有一水平面,所述掩膜图案生成控制系统包括:
激励生成装置,用于生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

5.  根据权利要求4所述的掩膜图案生成控制系统,其特征在于,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述水平面为所述图案形成腔的底部,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通。

6.  根据权利要求5所述的掩膜图案生成控制系统,其特征在于,所述激励源生成装置具体包括:
获取模块,用于获取所述电路图案;
转换模块,用于将所述电路图案转换为所述掩膜图案;
第一激励生成模块,用于根据所述掩膜图案,生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质的图案生成激励,使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

7.  根据权利要求6所述的掩膜图案生成控制系统,其特征在于,所述掩膜图案生成控制系统还包括:
第二激励生成模块,用于生成作用于所述容纳腔的粉状物质,使得所述容纳腔的粉状物质进入所述图案形成腔的位置控制激励。

8.  根据权利要求6所述的掩膜图案生成控制系统,其特征在于,还包括:
第三激励生成模块,用于生成作用于形成所述掩膜图案的粉状物质的还原激励,破坏所述粉状物质之间的结合力,使得所述粉状物质散布于所述水平面。

9.  根据权利要求6所述的掩膜图案生成控制系统,其特征在于,还包括:
第四激励生成模块,用于生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质,使得所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质进入所述容纳腔的复位激励。

10.  根据权利要求5所述的掩膜版,其特征在于,所述本体上还形成有一从外?#23458;?#21521;所述容纳腔的通道,所述掩膜版还包括:
开口控制单元,用于打开或关闭所述通道。

11.  根据权利要求4-10中?#25105;?#19968;项所述的掩膜图案生成控制系统,其特征在于,所述曝光激励为紫外线,所述图案生成激励为磁场,所述粉状物质为磁粉。

12.  一种掩膜图案生成控制方法,用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案,其特征在于,所述掩膜版具有一水平面,所述掩膜图案生成控制系统包括:
激励生成步骤,生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

13.  根据权利要求12所述的掩膜图案生成控制方法,其特征在于,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述水平面为所述图案形成腔的底部,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通。

14.  根据权利要求13所述的掩膜图案生成控制方法,其特征在于,所述激励生成步骤具体包括:
获取所述电路图案;
将所述电路图案转换为所述掩膜图案;
根据所述掩膜图案,生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质的图案生成激励,使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

15.  一种掩膜系统,包括一掩膜版,其特征在于,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述图案形成腔的底部为一水平面,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通,所述掩膜系统还包括:
激励生成装置,用于生成一作用于所述粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。

说明书

说明书掩膜版、掩膜图案生成控制系统及方法、掩膜系统
技术领域
本发明涉及光刻技术领域,特别是一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法。
背景技术
在半导体制作过程中,各层电路的制作都需要一套相应的光刻掩膜版,用来形成半导体制作中所需要的各类电路图形。
传统的光刻掩膜版的制作方法采用石英玻璃上镀一层金属铬,再通过光刻和刻蚀工艺得到与待形成的电路图形相对应的掩膜图形。
光刻掩膜版的金属铬具有极佳的紫外光阻挡性能,而石英玻璃具有较好的紫外光透射性能。在半导体制作过程中,首先需要在光刻掩膜版上成形与电路图案对应的掩膜图案,半导体各层的电路图形与光刻掩膜版?#31995;?#37329;属铬刻蚀后的图形相对应。
通过紫外光的照射,被金属铬阻挡的紫外光不能照射到基板?#31995;?#20809;刻胶,而没有金属铬阻档的部分,紫外光可以照射到基板?#31995;?#20809;刻胶,使光刻胶发生反应,对于正性光刻胶而言,进行显影时,被紫外光照射的光刻胶在显影液中溶解,而未被紫外光照射的光刻胶不溶解于显影液中。对于负性光刻胶而言,正好相反。从而在基板上形成所需要的光刻胶电路图形,通过刻蚀工艺后即可得到所需要的电路图形。
然而现有的掩膜版存在成本较高的缺点,说明如下。
现有的掩膜版制作是通过在石英玻璃上沉积金属铬,再进行光刻和湿刻工艺得到半导体制作过程中所需要的各层电路图形。因此,一块光刻掩膜版只能对应一个电路图形,如果对应的电路图形发生变化,则需要重新定义掩膜图案,重新制造新的掩膜版。
而光刻掩膜版在进行重新制作的过程中,工艺复杂,成本很高,?#36127;?#19982;制 作一块新的光刻掩膜版的制作成本相当,因此掩膜版存在成本高昂的缺点。
上述是以紫外线曝光为例进?#26800;?#35828;明,但其他的通过阻挡射线作用于光刻胶的曝光方式也存在同样的缺点,在此不一一说明。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法,?#26723;?#25513;膜版的成本。
为了实现上述目的,本发明实施例提供了一种掩膜版,包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述图案形成腔的底部为一水平面,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通,使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下,进入所述图案形成腔,并在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
上述的掩膜版,其中,所述本体上还形成有一从外?#23458;?#21521;所述容纳腔的通道,所述掩膜版还包括:
开口控制单元,用于打开或关闭所述通道。
上述的掩膜版,其中,所述曝光激励为紫外线,所述粉状物质为磁粉,所述图案生成激励为磁场。
为了实现上述目的,本发明实施例?#22266;?#20379;了一种掩膜图案生成控制系统,用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案,所述掩膜版具有一水平面,所述掩膜图案生成控制系统包括:
激励生成装置,用于生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述水平面为所述图案形成腔的底部,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,所述激励源生成装置具体包括:
获取模块,用于获取所述电路图案;
转换模块,用于将所述电路图案转换为所述掩膜图案;
第一激励生成模块,用于根据所述掩膜图案,生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质的图案生成激励,使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,所述掩膜图案生成控制系统还包括:
第二激励生成模块,用于生成作用于所述容纳腔的粉状物质,使得所述容纳腔的粉状物质进入所述图案形成腔的位置控制激励。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,还包括:
第三激励生成模块,用于生成作用于形成所述掩膜图案的粉状物质的还原激励,破坏所述粉状物质之间的结合力,使得所述粉状物质散布于所述水平面。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,所述本体上还形成有一从外?#23458;?#21521;所述容纳腔的通道,所述掩膜版还包括:
开口控制单元,用于打开或关闭所述通道。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,还包括:
第四激励生成模块,用于生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质,使得所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质进入所述容纳腔的复位激励。
上述的掩膜图案生成控制系统,其中,所述曝光激励为紫外线,所述图案生成激励为磁场,所述粉状物质为磁粉。
为了实现上述目的,本发明实施例?#22266;?#20379;了一种掩膜图案生成控制方法,用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案,所述掩膜版具有一水平面,所述掩膜图案生成控制系统包括:
激励生成步骤,生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
上述的掩膜图案生成控制方法,其中,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述水平面为所述图案形成腔的底部,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通。
上述的掩膜图案生成控制方法,其中,所述激励生成步骤具体包括:
获取所述电路图案;
将所述电路图案转换为所述掩膜图案;
根据所述掩膜图案,生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质的图案生成激励,使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
为了实现上述目的,本发明实施例?#22266;?#20379;了一种掩膜系统,包括一掩膜版,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述图案形成腔的底部为一水平面,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通,所述掩膜系统还包括:
激励生成装置,用于生成一作用于所述粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
本发明实施例的掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法中,依据电路图案确定掩膜图案后,即可通过外力控制能阻挡光线透过的粉状物质的运动轨迹和位置,形成所述掩膜图案。因此,外力不同即可形成不同的图案,而整个掩膜图案是由粉状物?#24066;?#25104;的,容易被破坏用于下一次的掩膜图案的形成。因此,本发明实施例?#26800;?#25513;膜版是可重复利用的,大大?#26723;?#20102;掩膜版的成本。
附图说明
图1表示本发明实施例的掩膜版的结构示意图;
图2表示本发明实施例的掩膜系统的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例的掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法中,依据电路图案确定掩膜图案后,即可通过外力控制能阻挡光线透过的粉状物质的运动轨迹和位置,形成所述掩膜图案。因此,外力不同即可形成不同的图案,而整个掩膜图案是由粉状物?#24066;?#25104;的,容易被重新构图用于 下一次的掩膜图案的形成。因此,本发明实施例?#26800;?#25513;膜版是可重复利用的,大大?#26723;?#20102;掩膜版的成本。
在对本发明实施例进行详细说明之前,先对本发明实施例涉及到的概念和对象进行说明,以便于更好的理解本发明实施例。
曝光激励
本发明具体实施例中,曝光激励泛指由曝光机产生的用于作用于光刻胶的光线(如紫外光)、射线(如X射线)、电子束或离子束?#21462;?
粉状物质
本发明具体实施例中,粉状物?#24066;?#35201;能够隔离曝光激励,如对于紫外光这?#21046;?#20809;激励而言,各种磁粉就是很好的阻隔材料,如对于X射线而言,各种金属粉末就是很好的阻隔材料。对于电子束或离子束,也有相应的能够很好的吸?#29031;?#20123;曝光激励的相应物质,在此不一一列举。
图案生成激励
本发明具体实施例中,是通过控制能阻挡曝光激励透过的粉状物质的位置来形成掩膜图案,而这些控制粉状物质运动到预定位置以形成掩膜图案的因素统称为图案生成激励。
在本发明的具体实施例中,在图案生成激励可以是各种形式的因素,以曝光激励为紫外光为例说明如下。
当曝光激励为紫外光时,本发明实施例?#26800;?#31881;状物质可以采用钕铁硼磁粉,此?#22791;?#22270;案生成激励可以是磁场,通过该磁场将这些磁粉吸?#38477;?#39044;定的位置,以形成掩膜图案。
当然,当纯粹的磁粉不能很好的阻挡曝光激励时,可以制作同?#26412;?#26377;磁性和曝光激励阻挡特性的物质来代替磁粉,在此不再详细说明。
当然,在?#31169;?#20165;是举例以方便本领域技术人员?#31169;?#26412;发明实施例的概念,本发明实施例的图案生成激励并不局限于磁场,如粉状物质?#37096;?#20197;是能够被电场吸附,且能阻挡曝光激励的物质,进而使用电场作为图案生成激励来控制粉末的位置,形成掩膜图案。
位置控制激励、还原激励以?#26696;?#20301;激励
位置控制激励、还原激励以?#26696;?#20301;激励也是与图案生成激励相类似,其差 别仅在于激励的作用的不同,如位置控制激励是用于将粉状物质输送到图案形成腔,还原激励是将粉状物?#24066;?#25104;的已有掩膜图案打乱,以便于下一次形成新的掩膜图案,复位激励是将图案形成腔?#26800;?#31881;状物质回收到存储腔。
本发明实施例的目的在于提供一种掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法,?#26723;?#25513;膜版的成本。
为了实现上述目的,本发明实施例提供了一种掩膜版,包括一能够透过曝光激励的本体101,所述本体101内形成有一图案形成腔102,所述图案形成腔102的底部为一水平面1021,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质200的容纳腔103,所述容纳腔103与所述图案形成腔102连通,使得所述粉状物质能够在一图案生成激励的作用下,进入所述图案形成腔102,并在所述水平面1021上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
在本发明的具体实施例中,上述的曝光激励、粉状物质以及图案生成激励可以是各种不同方式的组合,之前已经进行了详细描述,在此不再赘述。在一种用途较广、实?#32440;?#20026;简单的方式中,所述曝光激励为紫外线,所述粉状物质为磁粉,所述图案生成激励为磁场。考虑到构图所需粉末量的不同,以及随着时间的流逝,磁粉的磁性保持不够,需要更换磁粉的需求,本发明实施例中所述本体上还形成有一从外?#23458;?#21521;所述容纳腔的通道,所述掩膜版还包括:
开口控制单元,用于打开或关闭所述通道。
在通常情况下,开口控制单元关闭所述通道,而在需要向容纳腔中增加磁粉、更换磁粉或倒出磁粉时,通过开口控制单元打开该通道即可。
上述的开口控制单元可以是一个具有弹性的塞子,在通常情况下,塞子塞入通道中关闭所述通道,而在需要向容纳腔中增加磁粉、更换磁粉或倒出磁粉时,拔出塞子即可打开该通道。
当然该开口控制单元?#37096;?#20197;是其它的结构,在此不一一举例说明。
上述的掩膜版仅仅是一个形成掩膜图案的载体,在本发明具体实施例中,还需要一个控制系统来与之配合,控制其?#26800;?#31881;状物?#24066;?#25104;掩膜图案。
本发明实施例的掩膜图案生成控制系统,用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案,其特征在于,所述掩膜版具有一水平面,所述掩膜图案生成控制系统包 括:
激励生成步骤,生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
本发明实施例的掩膜图案生成控制系统中,通过图案生成激励作用于粉状物质,使之运动到对应的位置来形成掩膜图案。
通过改变图案生成激励就可以改变掩膜图案,使得掩膜版可以重复使用。
本发明具体实施例中,该水平面可以是掩膜版的上表面。这种方式下,需要单独的容器来存储上述的粉状物质,不方便使用,因此,本发明的具体实施例中,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述水平面为所述图案形成腔的底部,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通。
通过上述的设置,不再需要使用单独的容器来容纳粉状物质,使用更加方便。
在本发明的具体实施例中,所述激励源生成装置具体包括:
获取模块,用于获取所述电路图案;
转换模块,用于将所述电路图案转换为所述掩膜图案;
第一激励生成模块,用于根据所述掩膜图案,生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质的图案生成激励,使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
根据电路图案形成掩膜图案属于现有技术的范畴在此不作进一步的描述。
如图1所示,该粉末物?#39135;?#22987;位于容纳腔中,可以通过第一激励生成模块来产生使之进入图案形成腔的激励,但在某些情况下,图案生成激励不足以使之进入到图案形成腔,或者会造成粉末在水平面?#31995;?#20998;布不均,影响掩膜图案的均一性。
为了这些粉末物质快速均匀进入图案形成腔中,上述的掩膜图案生成控制系统还包括:
第二激励生成模块,用于生成作用于所述容纳腔的粉状物质,使得所述容纳腔的粉状物质进入所述图案形成腔的位置控制激励。
在本发明的具体实施例中,该第二激励生成模块可以通过向容纳腔底部充入高压气体,使之形成雾状进入图案形成腔,并在停止充入高压气体后均匀散布于水平面,方便后续形成掩膜图案。
当然,当粉末状物质为磁粉时,该第二激励生成模块?#37096;?#20197;通过产生一个变化的磁场作用于磁粉,使之形成雾状进入图案形成腔,并在停止充入高压气体后均匀散布于水平面,方便后续形成掩膜图案。
当然,还可以是其它的方式使得其进入到图案形成腔,在此不一一列举。
之前提到,本发明实施例的掩膜版可以重复利用,为了方便后续形成均一性较好的新的掩膜图案,本发明实施例的掩膜图案生成控制系统还包括:
第三激励生成模块,用于生成作用于形成所述掩膜图案的粉状物质的还原激励,破坏所述粉状物质之间的结合力,使得所述粉状物质散布于所述水平面。
在破坏形成所述掩膜图案的粉状物质之间的结合力之后,使得所述粉状物质散布于所述水平面,新的图案生成激励能够更好的作用于上述的散布于所述水平面的粉状物质,形成新的掩膜图案。
该第三激励生成模块?#37096;?#20197;是一气流充入模块,或者当粉末状物质为磁粉时,可以生成一均匀分布的磁场,使得粉状物质散布于所述水平面。
掩膜版使用完成之后,需要将粉末物质收回容纳腔,此时,上述的掩膜图案生成控制系统还包括:
第四激励生成模块,用于生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质,使得所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质进入所述容纳腔的复位激励。
该当粉末状物质为磁粉时,第四激励生成模块可以是一个磁场产生单元,在容纳腔中产生强磁场,将磁粉吸附回容纳腔。
上述的掩膜图案生成控制系统中,一种实现简单的方案中,所述曝光激励为紫外线,所述图案生成激励为磁场,所述粉状物质为磁粉。
为了实现上述目的,本发明实施例?#22266;?#20379;了一种掩膜图案生成控制方法,用于作用于一掩膜版以生成掩膜图案,所述掩膜版具有一水平面,所述掩膜图案生成控制系统包括:
激励生成步骤,生成一作用于能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对 应的掩膜图案。
上述的掩膜图案生成控制方法,其中,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述水平面为所述图案形成腔的底部,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳所述粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通。
上述的掩膜图案生成控制方法,其中,所述激励生成步骤具体包括:
获取所述电路图案;
将所述电路图案转换为所述掩膜图案;
根据所述掩膜图案,生成作用于所述图案形成腔?#26800;?#31881;状物质的图案生成激励,使得进入所述图案形成腔的所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
为了实现上述目的,本发明实施例?#22266;?#20379;了一种掩膜系统,包括一掩膜版,所述掩膜版包括一能够透过曝光激励的本体,所述本体内形成有一图案形成腔,所述图案形成腔的底部为一水平面,所述本体上?#32929;?#32622;有一用于容纳能够阻挡曝光激励透过的粉状物质的容纳腔,所述容纳腔与所述图案形成腔连通,所述掩膜系统还包括:
激励生成装置,用于生成一作用于所述粉状物质的图案生成激励,使得所述粉状物质能够在所述水平面上生成与待形成的电路图案相对应的掩膜图案。
本发明实施例的掩膜版、掩膜图案生成控制系统、掩膜系统及掩膜图案生成控制方法中,依据电路图案确定掩膜图案后,即可通过外力控制能阻挡光线透过的粉状物质的运动轨迹和位置,形成所述掩膜图案。因此,外力不同即可形成不同的图案,而整个掩膜图案是由粉状物?#24066;?#25104;的,容易被破坏用于下一次的掩膜图案的形成。因此,本发明实施例?#26800;?#25513;膜版是可重复利用的,大大?#26723;?#20102;掩膜版的成本。
下面对本发明实施例作进一步详细的说明如下。
本发明实施例中,可以通过计算机对具有较好的紫外光阻挡性能的微细磁粉的控制来制作半导体所需要的掩膜图案。在对光刻掩膜版进行重新制作时,只需要通过计算机控制微细磁粉的重新排列即可,对光刻掩膜版无损伤,并且制造周期短,工艺简单,成?#38236;?#24265;。与传统光刻掩膜版的制作相比,具有更大 的竞争力。
本发明实施例中,利用微细磁粉的吸附原理,通过计算机的控制,?#36816;?#38656;要的电路图形利用磁粉进行图形定位。半导体的电路图形经过计算机的处理,将所需要的图形数据通过数据线转移到一磁场生成装置中。位于光刻掩膜版内部的容纳腔?#26800;?#24494;细磁粉腔体,被外部磁粉雾化控制设备6产生的磁场雾化,并吸入图案形成腔中,实现本发明实施例的第三激励生成模块的功能。
在光刻图形定义控制主体5的作用下,微细磁粉受磁力的作用而进入预定的位置,最终形成整张电路图形,实现本发明实施例的第一激励生成模块的功能。在自身磁力的作用下,对位置进行固定。
图形定义完成后,图形在外力的作用下也?#25442;?#21457;生改变。如需要改变光刻掩膜版的电路图形,光刻图形定义控制主体5接收计算机4发出指令,光刻图形定义控制主体产生变化的磁力线,使图案形成腔内部的磁粉受磁力的作用而再次雾化,实现本发明实施例的第三激励生成模块的功能。
同时,光刻掩膜版两端的磁粉雾化控制设备产生相应的磁力,使图案形成腔?#26800;?#24494;细磁粉吸入微细磁粉腔,使光刻掩膜版复原,图案形成腔内部无微细磁粉,成为?#35013;?#20809;刻掩膜版,实现了本发明实施例的第三激励生成模块的功能。
最后,将要构建的另外一张光刻电路图形输入光刻图形定义控制主体的计算机,通过同样的方法即可得到另外一张光刻电路图形。本发明?#25442;?#23545;光刻掩膜版造成任何损伤,并?#20063;?#20316;简单,制作容易,制作效率高,制作成?#38236;汀?
本发明具体实施例中,微细磁粉采用磁性较好的合金磁粉,如钕铁硼磁粉,磁粉在受外部磁力的作用下可以产生雾化的效果。磁粉颗粒?#26412;?lt;0.1um。
本发明具体实施例中,本体为石英材质。具有较好的紫外光穿透能力。
本发明具体实施例中,光刻图形定义控制主体通过数据线9计算机的控制,接收掩膜图案并形成相应的磁场。其中光刻图形定义控制主体的尺寸与光刻掩膜版的有效曝光区域等大。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润?#25105;灿?#35270;为本发明的保护范围。

关于本文
本文标题:掩膜版、掩膜图案生成控制系统及方法、掩膜系统.pdf
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