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薄膜晶体管及其制作方法与液晶显示面板.pdf

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薄膜晶体管 及其 制作方法 液晶显示 面板
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摘要
申请专利号:

CN201310157160.2

申请日:

2013.04.30

公开号:

CN103915346A

公开日:

2014.07.09

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法?#19978;?#24773;: 授权|||专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/336登记生效日:20161010变更事项:申请人变更前权利人:业鑫科技顾问股份有限公司变更后权利人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1变更后权利人:518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号变更事项:申请人变更前权利人:新光电科技有限公司变更后权利人:鸿海精密工业股份有限公司|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20130430|||公开
IPC分类号: H01L21/336; H01L29/786; G02F1/1368 主分类号: H01L21/336
申请人: 业鑫科技顾问股份有限公司; 新光电科技有限公司
发明人: 侯智元; 高逸群
地址: 中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1
优?#28909;ǎ?/td> 2012.12.28 TW 101150833
专利代理机构: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 徐丽昕
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法律状态
申请(专利)号:

CN201310157160.2

授权公告号:

|||||||||

法律状态公告日:

2017.02.15|||2016.10.26|||2014.08.06|||2014.07.09

法律状态类型:

授权|||专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

摘要

一种薄膜晶体管及其制作方法,以及包括该薄膜晶体管的液晶显示面板。薄膜晶体管包括金属材料的栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层。该栅极绝缘层为包含有硅元素、氧元素及氮元素的混合物,该混合物中的氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3。

权利要求书

权利要求书
1.  一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:
至少一金属材料的栅极;及
一栅极绝缘层,覆盖该栅极,该栅极绝缘层为包含有氧化硅,以及含有氮与硅的键结的化学物质与含有氮与氧及硅的键结的化学物?#35782;?#32773;其中至少之一的混合物,且该混合物中氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3,其中,所述氧原子的浓度是指单位体积内氧原子的数量,氮原子的浓度是指单位体积内氮原子的数量。

2.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该薄膜晶体管为一底栅型薄膜晶体管,该底栅型薄膜晶体管进一步包括:
一用于承载该栅极的基板,该栅极绝缘层进一步覆盖该具有该栅极的基板;
一半导体层,对应该栅极设置在该栅极绝缘层上;及
一源极与一漏极,分别位于该半导体层上的两端。

3.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该栅极的金属材质为铜。

4.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该薄膜晶体管为一顶栅型薄膜晶体管。

5.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该栅极绝缘层中对应氧原子浓度与氮原子浓度比值小于3的厚度为该栅极绝缘层整体厚度的7.5%到12.5%,并邻近该栅极。

6.  一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该制作方法包括:
形成至少一金属材质的栅极;
在反应腔室内充入硅甲烷、二氧化氮气体以及氮气采用化学气相沉积的方法形成栅极绝缘层于该栅极上,该栅极绝缘层为包含有氧化硅,以及含有氮与硅的键结的化学物质与含有氮与氧及硅的键结的化学物?#35782;?#32773;其中至少之一的混合物,且该混合物中氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3。

7.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,还包括:
提供一基板;
形成该至少一栅极于该基板上;
形成半导体层于该栅极绝缘层上;及
形成源极与栅极分别位于该半导体层上。

8.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该栅极的金属材质为铜。

9.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,在形成栅极绝缘层的?#34903;?#20013;,单位时间内充入的该氮气与该二氧化氮的体积比值大于1.5。

10.  如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,单位时间内该氮气与该二氧化氮的体积比值大于1.5是处于该栅极绝缘层形成的整体时间的前5%~10%时间?#25991;冢?#19988;在该时间?#25991;?#24418;成的该栅极绝缘层的厚度为该栅极绝缘层整体厚度的7.5%到12.5%,并邻近该栅极。

11.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,形成该栅极绝缘层的反应温度为370摄氏度以上。

12.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述氧原子的浓度是指单位体积内氧原子的数量,氮原子的浓度是指单位体积内氮原子的数量。

13.  一种液晶显示面板,其特征在于,包括多个如权利要求1至5?#25105;?#19968;项的薄膜晶体管、多行平行间隔设置的扫描线、多列平行间隔设置且与该多行扫描线垂?#26412;?#32536;交叉的数据线、多个设置在该多行扫描线及该多列数据线所界定区域的像素电极、一相对该像素电极设置的公共电极,该薄膜晶体管设置在该多列扫描线与该多行数据线交叉区域。

说明书

说明书薄膜晶体管及其制作方法与液晶显示面板
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法,以及包括该薄膜晶体管的液晶显示面板。
背景技术
采用薄膜晶体管作为驱动组件的液晶显示面板已广泛应用于显示设备中,例如电视,笔记本计算机或者显示器中。然而,薄膜晶体管的栅极绝缘层均沉积于栅极上,由此,在制作栅极绝缘层时较易对栅极产生影响,例如栅极的金属材料被氧化,栅极在被氧化后的电阻值较被氧化前高,从而导致薄膜晶体管的讯号传输时间增加,使得讯号出现延迟,进而无法满足目前液晶显示面板分辨率增加的需求。
发明内容
鉴于以上内容,有必要提供一种能够防止栅极层被氧化的薄膜晶体管。
进一步,提供一种薄膜晶体管的制作方法。
再次,提供一种包括前述薄膜晶体管的液晶面板。
一种薄膜晶体管,包括:
至少一金属材料的栅极;及
一栅极绝缘层,覆盖该栅极,该栅极绝缘层为包含有氧化硅,以及含有氮与硅的键结的化学物质与含有氮与氧及硅的键结的化学物?#35782;?#32773;其中至少之一的混合物,且该栅极绝缘层中氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3,其中,所述氧原子的浓度是指单位体积内氧原子的数量,氮原子的浓度是指单位体积内氮原子的数量。
一种薄膜晶体管的制作方法,包括:
形成至少一金属材质的栅极;
在反应腔室内充入硅甲烷、二氧化氮气体以及氮气采用化学气相沉积的方法形成栅极绝缘层于该栅极上,该栅极绝缘层为包含有氧化硅,以及含有氮与硅的键结的化学物质与含有氮与氧及硅的键结的化学物?#35782;?#32773;其中至少之一的混合物,且该栅极绝缘层中氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3。
一种液晶显示面板,包括多个如权利要求1至5?#25105;?#19968;项的薄膜晶体管、多行平行间隔设置的扫描线、多列平行间隔设置且与该多行扫描线垂?#26412;?#32536;交叉的数据线、多个设置在该多行扫描线及该多列数据线所界定区域的像素电极、一相对该像素电极设置的公共电极,该薄膜晶体管设置在该多列扫描线与该多行数据线交叉区域。
相较于现有技术,由于该栅极绝缘层的形成过程中采用氮气进行稀释,由此,在形成栅极绝缘层过程中,不会使得含有金属材料的栅极发生氧化,进而保证了栅极较低的电阻率,防止讯号传输时间的延迟。
附图说明
图1是本发明液晶显示面板的结构示意图。
图2是图1所示薄膜晶体管沿Ⅳ-Ⅳ线的剖面结构示意图。
图3是图2所示制作薄膜晶体管的一实施方式的方法流程图。
主要元件符号说明
薄膜晶体管10基板11栅极12栅极绝缘层13半导体层14源极15漏极16?#34903;?/ENTRY>S201~S205液晶显示面板100扫描线101数据线102像素电极104公共电极105
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,是本发明液晶显示面板一像素结构的结构示意图。该液晶显示面板100包括多行相互平?#26800;?#25195;描线101、多列相互平行并分别与该扫描线101绝缘相交的数据线102、多个邻近该扫描线101与该数据线102交叉处设置的薄膜晶体管10(thin film transistor,TFT)、多个像素电极104及一与该多个像素电极104相对设置的公共电极105。该像素电极104矩阵排布在该多行相互平?#26800;?#25195;描线101及多列相互平?#26800;?#25968;据线102所界定的区域内。该薄膜晶体管10的栅极对应连接至一扫描线101,其源极对应连接至一数据线102,其漏极对应连接至一像素电极104。
?#22791;?#22810;行扫描线101接收外界提供的扫描电压时,该多列数据线102接收外界提供的数据电压,并加载?#26009;?#24212;的薄膜晶体管10的源极。如果此?#22791;?#34180;膜晶体管10处于打开状态,则该数据电压传送至该薄膜晶体管10的漏极并载入在该像素电极104。该公共电极105同时接收外界提供的公共电压,由此在该像素电极104与该公共电极105间会产生一电场以控制液晶分子的转动,从而实现图像显示。
如图2所示,是图1所示薄膜晶体管10沿Ⅳ-Ⅳ线的剖面结构示意图,薄膜晶体管10包括基板11、栅极12、栅极绝缘层13、半导体层14、源极15以及漏极16。其中,栅极12以铜作为电极材料形成于基板11上。栅极绝缘层13的主要成分为氧化硅(SiOn,n为自然数),另外还包括含有氮与硅的键结化硅(Si-N)的化学物质或/及含有氮与氧及硅的键结(Si-N-O)的化学物质,其中氧原子的浓度与氮原子浓度比值小于3。该原子浓度可藉由二次离子质谱(SIMS,secondary ion mass spectroscopy)仪器测试获得,该氮原子与氧原子的浓度分别是指单位体积(1立方厘米,1cm3)内该氮原子与氧原子的数量。
该栅极绝缘层13中邻近栅极12且对应氧原子浓度与氮原子浓度比值小于3的厚度为栅极绝缘层13整体厚度的7.5%到12.5%。
该栅极绝缘层13覆盖于该栅极12与基板11上。半导体层14形成于该栅极绝缘层13上,源极15与漏极16分别形成于栅极12对应的该半导体层14上的两端,其中,源极15与漏极16之间设置有一通道(未标示)。可理解,本实施方式是以底栅极结构进行说明。
请一并参阅图2和图3,其中,图3为本发明一实施方式中制作该薄膜晶体管的方法流程图,该制作方法包括如下?#34903;瑁?
?#34903;鑃201,提供基板11,该基板的材质可为玻璃。
?#34903;鑃202,形成以金属材料作为电极材料的栅极12于基板11上,该栅极12可以是在一反应腔室内采用物理气相法在基板11上沉积一定厚度的金属铜层,再经由?#21450;?#21270;后形成。在本实施例中,该金属材料优选为电阻率较低的铜(Cu)。
?#34903;鑃203,采用化学气相沉积的方法在该栅极12上形成栅极绝缘层,其中,在化学气相沉积的过程中,在密闭的反应腔室内充入硅甲烷(SiH4)、二氧化氮(NO2)气体以及氮气(N2)的混合物作为化学气相沉积所需的反应气体。具体地,在反应腔室中通入SiH4、NO2以及N2在370摄氏度以上的反应温度中使该些气体进行化学反应,从而在栅极12与基板11上沉积形成主要成分为氧化硅(SiOx),另外还包括含有氮与硅的键结化硅(Si-N)的化学物质或/及含有氮与氧及硅的键结(Si-N-O)的化学物质,由于在形成栅极绝缘层13的过程中通入硅甲烷(SiH4)、二氧化氮(NO2)气体的同时,还通入氮气(N2)对前述?#34903;制?#20307;进行稀释并作为反应气体,使得栅极12中的铜不易被氧化。
优选地,在通入前述反应气体形成栅极绝缘层13的初期,如:栅极绝缘层13整体沉积时间之前5%到10%时间?#25991;冢?#27694;气的充入量以单位时间内氮气与二氧化氮的体积比值大于1.5为宜,以对该二氧化氮气体进行稀释,对应地,在此时间?#25991;冢?#37051;近栅极12形成的氧原子浓度与氮原子浓度比值小于3的栅极绝缘层13的厚度为栅极绝缘层13整体厚度的7.5%到12.5%。而在形成栅极绝缘层13的其它时间?#25991;?#21487;以适量充入氮气或者停止充入氮气,且对应的栅极绝缘层13中氮原子与氧原子的浓度比并不受以上比例的限制。
?#34903;鑃204,形成半导体层14于该栅极绝缘层13上,该半导体层14可以是一氧化铟镓锌(IGZO)薄膜。
?#34903;鑃205,形成源极15与漏极16分别位于该半导体层14的两端,其中,源极15与漏极16之间设置有一通道。
相较于先前技术,由于栅极绝缘层13于氮气环境下形成,由此,在形成栅极绝缘层13过程中,不会使得含有铜材料的栅极12发生氧化,进而保证了栅极12较低的电阻率,防止讯号的时间延迟,提高液晶显示面板的分辨率。
可变更地,该薄膜晶体管10还可以为顶栅极结构,相应地,该顶栅极薄膜晶体管中覆盖该栅极的栅极绝缘层的材料与前述栅极绝缘层13的材料相同,制程方法也类似,在此不再累述。另外,虽本实施例中该薄膜晶体管10仅包括一个栅极,然在本发明其它实施例中亦可为双栅极(dual-gate TFT)结构或者多栅极(multi-gate TFT)结构。
?#27604;唬?#26412;发明并不局限于上述公开的实施例,本发明还可以是对上述实施例进行各种变更。本技术领域人员可以理解,只要在本发明的实?#31034;?#31070;?#27573;?#20043;内,对以上实施例所作的?#23454;备?#21464;和变化都落在本发明要求保护的?#27573;?#20043;内。

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