平码五不中公式规律
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显示装置及其制造方法.pdf

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显示装置 及其 制造 方法
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摘要
申请专利号:

CN201310724131.X

申请日:

2013.12.25

公开号:

CN103913907A

公开日:

2014.07.09

当前法律状态:

撤回

有效性:

无权

法?#19978;?#24773;: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G02F 1/1343申请公布日:20140709|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1343申请日:20131225|||公开
IPC分类号: G02F1/1343; G02F1/1362; G02F1/1368; G02F1/1333 主分类号: G02F1/1343
申请人: 三星显示有限公司
发明人: 裵洲汉; 俞东铉; 全亨一
地址: 韩国京畿道
优?#28909;ǎ?/td> 2012.12.31 KR 10-2012-0158590
专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
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法律状态
申请(专利)号:

CN201310724131.X

授权公告号:

||||||

法律状态公告日:

2018.07.20|||2015.12.23|||2014.07.09

法律状态类型:

发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

摘要

本发明提供了显示装置及其制造方法。该显示装置包括:基板,包括像素区;薄膜晶体管,形成在基板上;光阻挡构件,形成在像素区的边界处;以及像素电极,形成在像素区中,像素电极连接到薄膜晶体管。该显示装置还包括:公共电极,形成在光阻挡构件上,公共电极与像素电极间隔开,微腔插设在公共电极和像素电极之间;顶层,包括滤色器并形成在公共电极上。该显示装置还包括:开口,形成在公共电极和顶层中以暴露微腔的一部分;液晶,填充微腔;以及外涂层,形成在顶层上以覆盖开口并密封每个像素区的微腔。

权利要求书

权利要求书
1.  一种显示装置,包括:
基板,包括像素区;
薄膜晶体管,形成在所述基板上;
光阻挡构件,形成在所述像素区的边界处;
像素电极,形成在所述像素区中,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管;
公共电极,形成在所述光阻挡构件上,所述公共电极与所述像素电极间隔开,微腔插设在所述公共电极和所述像素电极之间;
顶层,形成在所述公共电极上,所述顶层包括滤色器;
开口,形成在所述公共电极和所述顶层中以暴?#31471;?#36848;微腔的一部分;
液晶,填充所述微腔;以及
外涂层,形成在所述顶层上以覆盖所述开口并密封每个像素区的所述微腔。

2.  如权利要求1所述的显示装置,还包括:
栅线和数据线,形成在所述基板上并连接到所述薄膜晶体管;
栅极焊盘,连接到所述栅线;
第一辅助栅极焊盘,形成在所述栅极焊盘上;
数据焊盘,连接到所述数据线;以及
第一辅助数据焊盘,形成在所述数据焊盘上。

3.  如权利要求2所述的显示装置,其中:
所述栅极焊盘由与所述栅线相同的材料形成,并且
所述数据焊盘由与所述数据线相同的材料形成。

4.  如权利要求2所述的显示装置,其中所述第一辅助栅极焊盘和所述第一辅助数据焊盘由与所述像素电极相同的材料形成。

5.  如权利要求2所述的显示装置,还包括:
第二辅助栅极焊盘,形成在所述第一辅助栅极焊盘上;和
第二辅助数据焊盘,形成在所述第一辅助数据焊盘上。

6.  如权利要求5所述的显示装置,其中:
所述第二辅助栅极焊盘和所述第二辅助数据焊盘由与所述公共电极相同的材料形成。

7.  一种制造显示装置的方法,包括:
在基板上形成薄膜晶体管,所述基板包括像素区;
在所述像素区的边界处形成光阻挡构件;
在所述像素区中形?#19978;?#32032;电极,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管;
在所述像素电极和所述光阻挡构件上形成牺牲层;
灰化所述牺牲层;
在所述牺牲层和所述光阻挡构件上形成公共电极;
在所述公共电极上形成顶层,所述顶层包括滤色器;
在所述公共电极和所述顶层中形成开口;
通过经由所述开口去除所述牺牲层而形成微腔;
通过所述开口注入液晶以填充所述微腔;以及
形成外涂层以密封所述开口。

8.  如权利要求7所述的方法,还包括:
在所述基板上形成栅线;
在所述栅线上形成栅绝?#25377;悖?BR>在所述栅绝?#25377;?#19978;形成数据线;以及
在所述数据线上形成钝化层,
其中所述薄膜晶体管的一部分连接到所述栅线,所述薄膜晶体管的另一部分连接到所述数据线。

9.  如权利要求8所述的方法,还包括:
形成连接到所述栅线的栅极焊盘;
在所述栅极焊盘上形成栅绝?#25377;悖?BR>形成连接到所述数据线的数据焊盘;以及
在所述数据焊盘上形成钝化层。

10.  如权利要求9所述的方法,其中:
所述栅极焊盘由与所述栅线相同的材料形成,并且
所述数据焊盘由与所述数据线相同的材料形成。

11.  如权利要求9所述的方法,还包括:
?#21450;?#21270;所述钝化层和所述栅绝?#25377;?#20197;去除位于所述栅极焊盘上的部分栅绝?#25377;?#21644;部分钝化层以及位于所述数据焊盘上的另一部分钝化层,从而暴?#31471;?#36848;栅极焊盘和所述数据焊盘;以及
在暴露的栅极焊盘上形成第一辅助栅极焊盘以及在暴露的数据焊盘上形成第一辅助数据焊盘。

12.  如权利要求11所述的方法,其中:
所述第一辅助栅极焊盘和所述第一辅助数据焊盘由与所述像素电极相同的材料形成。

13.  如权利要求11所述的方法,还包括:
通过?#21450;?#21270;所述牺牲层而去除所述牺牲层的位于所述第一辅助栅极焊盘和所述第一辅助数据焊盘的每个上的部分。

14.  如权利要求13所述的方法,还包括:
在所述第一辅助栅极焊盘上形成第二辅助栅极焊盘以及在所述第一辅助数据焊盘上形成第二辅助数据焊盘,其中所述第二辅助栅极焊盘和所述第二辅助数据焊盘在与所述公共电极相同的工艺步骤中形成。

15.  如权利要求14所述的方法,其中:
所述第二辅助栅极焊盘和所述第二辅助数据焊盘由与所述公共电极相同的材料形成。

16.  如权利要求14所述的方法,还包括:
在所述像素电极和所述光阻挡构件上形成第一绝?#25377;悖?#20197;及
去除所述第一绝?#25377;?#30340;位于所述第一辅助栅极焊盘和所述第一辅助数据焊盘的每个上的部分。

17.  如权利要求16所述的方法,还包括:
在所述公共电极、所述第二辅助栅极焊盘和所述第二辅助数据焊盘上形成第二绝?#25377;悖?BR>在所述顶层和所述第二绝?#25377;?#19978;形成第三绝?#25377;悖?#20197;及
通过?#21450;?#21270;所述第二绝?#25377;?#21644;第三绝?#25377;?#32780;去除所述第二绝?#25377;?#21644;所述第三绝?#25377;?#30340;位于所述第二辅助栅极焊盘和所述第二辅助数据焊盘的每个上的部分。

18.  如权利要求13所述的方法,其中:
在所述第一辅助栅极焊盘和所述第一辅助数据焊盘上形成所述公共电极;
还包括:
在所述公共电极上形成第二绝?#25377;悖?#20197;及
在所述顶层和所述第二绝?#25377;?#19978;形成第三绝?#25377;恪?BR>
19.  如权利要求18所述的方法,还包括:
通过?#21450;?#21270;所述公共电极、所述第二绝?#25377;?#21644;所述第三绝?#25377;?#32780;去除所述公共电极、所述第二绝?#25377;?#21644;所述第三绝?#25377;?#30340;位于所述第一辅助栅极焊盘和所述第一辅助数据焊盘的每个上的部分。

20.  如权利要求7所述的方法,其中灰化所述牺牲层还包括去除所述牺牲层的位于所述光阻挡构件上的部分。

说明书

说明书显示装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
液晶显示器通常用于平板显示器中。液晶显示器包括其上形成场产生电极(例如,像素电极和公共电极)的两个显示面板以及插设在两个显示面板之间的液晶层。为了在液晶显示器上显示图像,电压首先施加到场产生电极以产生电场从而操纵液晶层?#26800;?#28082;晶分子的配向,从而控制入射光的偏振。
液晶显示器?#26800;?#20004;个显示面板可以包括薄膜晶体管阵列面板和相对显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中,用于传输栅信号的栅线和用于传输数据信号的数据线可以彼?#31169;?#21449;地形成。薄膜晶体管可以形成为连接到栅线和数据线,像素电极可以形成为连接到薄膜晶体管。光阻挡构件、滤色器和公共电极可以形成在相对显示面板中。在某些情形下,光阻挡构件、滤色器和公共电极可以形成在薄膜晶体管阵列面板中。
在常规的液晶显示器件中,两个显示面板一般形成在不同的基板上。例如,第一基板用于薄膜晶体管阵列面板,第二基板用于相对显示面板。然而,利用两个不同的基板用于显示面板会增加常规液晶显示器件的重量和形状系数,并增加工艺成本和周转时间。
发明内容
本公开通过提供能够利用单个基板制造的显示装置而至少解决相关技术?#26800;?#20197;上问题。
根据本发明构思的一些实施例,提供一种显示装置。显示装置包括:基板,包括像素区;薄膜晶体管,形成在基板上;光阻挡构件,形成在像素区的边界处;像素电极,形成在像素区中,像素电极连接到薄膜晶体管;公共电极,形成在光阻挡构件上,公共电极与像素电极间隔开,微腔插设在公共电极和像素电极之间;顶层,形成在公共电极上,顶层包括滤色器;开口, 形成在公共电极和顶层中以暴露微腔的一部分;液晶,填充微腔;以及外涂层,形成在顶层上以覆盖开口并密封每个像素区的微腔。
在一些实施例中,显示装置可以包括:栅线和数据线,形成在基板上并连接到薄膜晶体管;栅极焊盘,连接到栅线;第一辅助栅极焊盘,形成在栅极焊盘上;数据焊盘,连接到数据线;以及第一辅助数据焊盘,形成在数据焊盘上。
在一些实施例中,栅极焊盘可以由与栅线相同的材料形成,数据焊盘可以由与数据线相同的材料形成。
在一些实施例中,第一辅助栅极焊盘和第一辅助数据焊盘可以由与像素电极相同的材料形成。
在一些实施例中,显示装置可以包括形成在第一辅助栅极焊盘上的第二辅助栅极焊盘以及形成在第一辅助数据焊盘上的第二辅助数据焊盘。
在一些实施例中,第二辅助栅极焊盘和第二辅助数据焊盘可以由与公共电极相同的材料形成。
根据本发明构思的一些其它的实施例,提供一种制造显示装置的方法。该方法包括:在基板上形成薄膜晶体管,基板包括像素区;在像素区的边界处形成光阻挡构件;在像素区中形?#19978;?#32032;电极,像素电极连接到薄膜晶体管;在像素电极和光阻挡构件上形成牺牲层;灰化牺牲层;在牺牲层和光阻挡构件上形成公共电极;在公共电极上形成顶层,顶层包括滤色器;在公共电极和顶层中形成开口;通过经由开口去除牺牲层而形成微腔;通过开口注入液晶以填充微腔;以及形成外涂层以密封开口。
在一些实施例中,该方法可以包括:在基板上形成栅线;在栅线上形成栅绝?#25377;悖?#22312;栅绝?#25377;?#19978;形成数据线;以及在数据线上形成钝化层,其中薄膜晶体管的一部分连接到栅线,薄膜晶体管的另一部分连接到数据线。
在一些实施例中,该方法可以包括:形成连接到栅线的栅极焊盘;在栅极焊盘上形成栅绝?#25377;悖?#24418;成连接到数据线的数据焊盘;以及在数据焊盘上形成钝化层。
在一些实施例中,栅极焊盘可以由与栅线相同的材料形成,数据焊盘可以由与数据线相同的材料形成。
在一些实施例中,该方法可以包括?#21644;及?#21270;钝化层和栅绝?#25377;?#20197;去除位于栅极焊盘上的部分栅绝?#25377;?#21644;部分钝化层以及位于数据焊盘上的另一部 分钝化层,从而暴露栅极焊盘和数据焊盘;以及在暴露的栅极焊盘上形成第一辅助栅极焊盘和在暴露的数据焊盘上形成第一辅助数据焊盘。
在一些实施例中,第一辅助栅极焊盘和第一辅助数据焊盘可以由与像素电极相同的材料形成。
在一些实施例中,该方法可以包括通过?#21450;?#21270;牺牲层而去除牺牲层的位于第一辅助栅极焊盘和第一辅助数据焊盘的每个上的部分。
在一些实施例中,该方法可以包括:在第一辅助栅极焊盘上形成第二辅助栅极焊盘和在第一辅助数据焊盘上形成第二辅助数据焊盘,其?#26800;?#20108;辅助栅极焊盘和第二辅助数据焊盘可以在与公共电极相同的工艺步骤中形成。
在一些实施例中,第二辅助栅极焊盘和第二辅助数据焊盘可以由与公共电极相同的材料形成。
在一些实施例中,该方法可以包括在像素电极和光阻挡构件上形成第一绝?#25377;?#20197;及去除第一绝?#25377;?#30340;位于第一辅助栅极焊盘和第一辅助数据焊盘的每个上的部分。
在一些实施例中,该方法可以包括:在公共电极、第二辅助栅极焊盘和第二辅助数据焊盘上形成第二绝?#25377;悖?#22312;顶层和第二绝?#25377;?#19978;形成第三绝?#25377;悖?#20197;及通过?#21450;?#21270;第二绝?#25377;?#21644;第三绝?#25377;?#32780;去除第二绝?#25377;?#21644;第三绝?#25377;?#30340;位于第二辅助栅极焊盘和第二辅助数据焊盘的每个上的部分。
在一些实施例中,该方法可以包括:在第一辅助栅极焊盘和第一辅助数据焊盘上形成公共电极;在公共电极上形成第二绝?#25377;悖?#20197;及在顶层和第二绝?#25377;?#19978;形成第三绝?#25377;恪?
在一些实施例中,该方法可以包括通过?#21450;?#21270;公共电极、第二绝?#25377;?#21644;第三绝?#25377;?#32780;去除公共电极、第二绝?#25377;?#21644;第三绝?#25377;?#30340;位于第一辅助栅极焊盘和第一辅助数据焊盘的每个上的部分。
在一些实施例中,灰化牺牲层还可以包括去除牺牲层的位于光阻挡构件上的部分。
附图说明
图1是示出根据本发明构思的示范性实施例的显示装置的俯视平面图。
图2是图1的显示装置沿线II-II截取的截面图。
图3是图1的显示装置沿线III-III截取的截面图。
图4至23是示出制造图1至3的显示装置的示范性方法的截面图。
图24和25是示出根据本发明构思的另一示范性实施例的显示装置的截面图。
图26至31是示出制造图24和25的显示装置的示范性方法的截面图。
具体实施方式
在下文将参照附图更全面地描述本发明构思,本发明构思的示范性实施例在附图中示出。如本领域技术人员将认识到的,所描述的实施例可以以各种方式修改,而不背离本公开的精神或范围。
在附图中,为了清晰,层、膜、面板、区域等的厚度可以被夸大。同样的附图标记在说明书中始终指代同样的元件。将理解,当称一个元件诸如层、膜、区域或基板在另一个元件上时,该元件可以直?#26377;?#25104;在另一个元件上,或者形成有插入元件存在。相反,当称一个元件直接在另一个元件上时,该元件直?#26377;?#25104;在另一个元件上而没有任何插入的元件。
首先,下面将参照图1至3来描述根据本发明构思的示范性实施例的显示装置。
图1是示出根据本发明构思的示范性实施例的显示装置的俯视平面图。图2是图1的显示装置沿线II-II截取的截面图。图3是图1的显示装置沿线III-III截取的截面图。
参照图1,显示装置包括在基板110上沿不同的方向?#30001;?#24418;成的多个栅线121和数据线171。例如,栅线121形成为在基板110上基本上沿水平方向?#30001;歟?#25968;据线171形成为在基板110上基本上沿垂直方向?#30001;臁?#22522;板110可以由诸如玻璃或塑料的材料形成。栅线121和数据线171可以彼?#31169;?#21449;(即,彼此垂直)地形成。
图1的显示装置包括多个像素区。多个像素区可以通过栅线121交叉数据线171而限定。
栅信号通过栅线121传输。栅电极124形成为从栅线121突出,栅极焊盘125形成为连接到栅线121。如图1所示,栅极焊盘125形成为连接到栅线121的末端。栅极焊盘125的宽度可?#28304;?#20110;栅线121的宽度。
栅极焊盘125接收外部栅信号并传递栅信号到栅线121,然后栅线121施加栅信号到栅电极124。
存储电极133可以形成在像素区中,存储电极133与栅线121和栅电极124间隔开。如图1所示,存储电极133可以形成在平行于栅线121和数据线171的方向上。在一些其它的实施例中,存储电极133可以形成在平行于栅线121的方向上。多个存储电极133可以形成在相邻的像素区中,存储电极133连接到彼此。预定电压(例如公共电压)被施加到存储电极133。
参照图2,栅绝?#25377;?40形成在栅线121、栅电极124和存储电极133上。栅绝?#25377;?40可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。在一些实施例中,栅绝?#25377;?40可以形成为单个层。在一些其它的实施例中,栅绝?#25377;?40可以形成为包括两个或更多不同的绝?#25377;悖?#26410;示出)的多层。
如图2所示,半导体层150形成在栅绝?#25377;?40上。半导体层150可以位于栅电极124上(或上方)。返回参照图1,半导体层150形成为?#30001;?#21040;数据线171的下部。半导体层150可以由非晶硅、多晶硅、金属氧化物或其他的半导体材料形成。
参照图2,源电极173和漏电极175形成在半导体层150上。源电极173形成为从数据线171突出。漏电极175形成为与源电极173间隔开。数据焊盘177形成为连接到数据线171。例如,数据焊盘177可以形成为连接到数据线171的末端。数据焊盘177的宽度可?#28304;?#20110;数据线171的宽度。
数据信号通过数据线171传输。数据焊盘177接收外部数据信号并传输数据信号到数据线171,然后数据线171施加数据信号到源电极173。
栅电极124、半导体层150、源电极173和漏电极175共同地构成薄膜晶体管。?#21271;?#33180;晶体管被切换到导通状态时,施加到源电极173的数据信号被传输到漏电极175。
栅电极124(构成薄膜晶体管的一部分)连接到栅线121,源电极173(构成薄膜晶体管的另一部分)连接到数据线171。
参照图2和3,钝化层180形成在数据线171、源电极173、漏电极175以及半导体层150的在源电极173和漏电极175之间的暴露部分上。在一些实施例中,钝化层180可以由有机绝?#25377;?#26009;形成。在其他的实施例中,钝化层180可以由无机绝?#25377;?#26009;形成。此外,在一些实施例中,钝化层180可以形成为单层。在一些其它的实施例中,钝化层180可以形成为多层。
参照图2和3,光阻挡构件220在像素区的边界处形成在钝化层180上。 光阻挡构件220可以形成为围绕像素区的分隔壁。光阻挡构件220可以形成在薄膜晶体管上。光阻挡构件220由用于减少光泄露的光阻挡材料形成。
第一接触孔181(漏电极175的一部分通过其暴露)形成在钝化层180中。在一些特别的实施例中,光阻挡构件220形成在薄膜晶体管的一部分上,不需要形成在第一接触孔181周围。
像素电极191形成在钝化层180上,像素电极191通过第一接触孔181连接到漏电极175。在一些特别的实施例中,像素电极191不需要交叠光阻挡构件220。
本发明构思不限于以上描述的实施例。例如,在一些其它的实施例中,光阻挡构件220可以形成为覆盖薄膜晶体管;第一接触孔181可以形成在光阻挡构件220中;和/或像素电极191的一部分可以形成为交叠光阻挡构件220。
像素电极191形成在每个像素区中,并连接到漏电极175以在薄膜晶体管切换到导通状态时从漏电极175接收数据信号。像素电极191可以由透明金属材料(诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO))形成。
参照图1,像素电极191包括水平主干部分193、垂直于水平主干部分193形成的垂直主干部分192以及多个精细分支部分。多个精细分支部分包括第一精细分支部分194a、第二精细分支部分194b、第三精细分支部分194c和第四精细分支部分194d。
水平主干部分193可以形成在平行于栅线121的方向上,垂直主干部分192可以形成在平行于数据线171的方向上。水平主干部分193可以形成在两个相邻的栅线121之间的大致中间的位置,垂直主干部分192可以形成在两个相邻的数据线171之间的大致中间的位置。
像素区被水平主干部分193和垂直主干部分192划分为第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域和第四子像素区域。参照图1,第一子像素区域位于像素区的左上部(在水平主干部分193的左侧和垂直主干部分192的上侧),第二子像素区域位于像素区的右上部(在水平主干部分193的右侧和垂直主干部分192的上侧)。第三子像素区域位于像素区的左下部(在水平主干部分193的左侧和垂直主干部分192的下侧),第四子像素区域位于像素区的右下部(在水平主干部分193的右侧和垂直主干部分192的下侧)。
第一精细分支部分194a形成在第一子像素区域中,第二精细分支部分194b形成在第二子像素区域中。第三精细分支部分194c形成在第三子像素区域中,第四精细分支部分194d形成在第四子像素区域中。
第一精细分支部分194a形成为从水平主干部分193或垂直主干部分192在左上方向上倾斜地?#30001;歟?#31532;二精细分支部分194b形成为从水平主干部分193或垂直主干部分192在右上方向上倾斜地?#30001;臁?#31532;三精细分支部分194c形成为从水平主干部分193或垂直主干部分192在左下方向上倾斜地?#30001;歟?#31532;四精细分支部分194d形成为从水平主干部分193或垂直主干部分192在右下方向上倾斜地?#30001;臁?
第一至第四精细分支部分194a、194b、194c和194d的每个可以形成为具有相对于栅线121或水平主干部分193的约45°或135°的角度。相邻的子像素区域的第一至第四精细分支部分194a、194b、194c和194d可以形成得彼此垂?#34180;?#20363;如,第一精细分支部分194a可以形成为正交于第二精细分支部分194b,第三精细分支部分194c可以形成为正交于第四精细分支部分194d。
图1中示出的像素电极191的形状不限于上述的配置,能够以不同的方式修改。例如,在一些实施例中,像素区被分成多于四个子像素区域。在一些特别的实施例中,像素区不需要被分成多个子像素区域。
参照图1和2,第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可以形成在与像素电极191相同的层上。第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可以由与像素电极191相同的材料形成。
如图2所示,第一辅助栅极焊盘195可以形成在栅极焊盘125上。首先,栅绝?#25377;?40和钝化层180形成在栅极焊盘125上。第二接触孔185(栅极焊盘125的至少一部分通过其暴露)形成在栅绝?#25377;?40和钝化层180中。第一辅助栅极焊盘195形成在第二接触孔185中,并通过第二接触孔185连接到栅极焊盘125。如图2所示,第一辅助栅极焊盘195的一部分可以形成在钝化层180上,第一辅助栅极焊盘195的另一部分可以直?#26377;?#25104;在栅极焊盘125上。
如图2所示,第一辅助数据焊盘197可以形成在数据焊盘177上。首先,栅绝?#25377;?40和钝化层180形成在数据焊盘177上。第三接触孔187(数据焊盘177的至少一部分通过其暴露)形成在栅绝?#25377;?40和钝化层180中。 第一辅助数据焊盘197形成在第三接触孔187中,并通过第三接触孔187连接到数据焊盘177。第一辅助数据焊盘197的一部分可以形成在钝化层180上,第一辅助数据焊盘197的另一部分可以直?#26377;?#25104;在数据焊盘177上。
由于栅极焊盘125和数据焊盘177可以每个接收外部信号,所以栅极焊盘125和数据焊盘177的各自的上表面的一部分可以被暴露以与外部端子接触。然而,如果栅极焊盘125和数据焊盘177的表面没有被保护,则栅极焊盘125和数据焊盘177的氧化可能发生,从而引起电接触问题。如上所述,第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可以分别形成在栅极焊盘125和数据焊盘177上。通过在第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197中包括保护性的金属氧化物,栅极焊盘125和数据焊盘177能够被保护而没有进一步氧化,从而减轻电接触问题。
参照图2,第一绝?#25377;?40可以形成在光阻挡构件220和像素电极191上。第一绝?#25377;?40可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。第一绝?#25377;?40可以起到几个作用。例如,第一绝?#25377;?40能够用作光阻挡构件220(光阻挡构件220由有机材料形成)的保护层。第一绝?#25377;?40还可以防止像素电极191(其由导电的金属形成)与另一金属层短路。然而,在一些特别的实施例中,第一绝?#25377;?40可以被省略。
在一些实施例中,第一绝?#25377;?40不需要形成在第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上。例如参见图2。
参照图2和3,公共电极270形成在光阻挡构件220和像素电极191上。在一些实施例中,公共电极270还可以形成在第一绝?#25377;?40上。
如图2和3所示,公共电极270形成为与像素电极191间隔开,微腔200插设在公共电极270和像素电极191之间。像素电极191和公共电极270可以以预定间隔彼此间隔开。在一些实施例中,像素电极191和公共电极270之间的预定间隔可以与光阻挡构件220的高度基本上相同。微腔200的宽度和面积可以根据显示装置的期望的分辩?#35782;?#20197;多种方式改变。
公共电极270可以由透明金属材料(诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))形成。预定电压可以施加到公共电极270以在像素电极191和公共电极270之间产生电场。
第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277可以由与公共电极270相同的层形成。因此,第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277可以 由与公共电极270相同的材料形成。
第二辅助栅极焊盘275可以形成在第一辅助栅极焊盘195上覆盖第一辅助栅极焊盘195。此外,第二辅助栅极焊盘275的一部分可以形成在钝化层180上,第二辅助栅极焊盘275的另一部分可以直?#26377;?#25104;在第一辅助栅极焊盘195上。
第二辅助数据焊盘277可以形成在第一辅助数据焊盘197上覆盖第一辅助数据焊盘197。第二辅助数据焊盘277的一部分可以形成在钝化层180上,第二辅助数据焊盘277的另一部分可以直?#26377;?#25104;在第一辅助数据焊盘197上。
在一些实施例中,第二辅助栅极焊盘275的一部分和第二辅助数据焊盘277的一部分可以形成在第一绝?#25377;?40上。
如图2和3所示,液晶3填充像素电极191和公共电极270之间的微腔200。液晶3包括多个液晶分子。当电场没有施加到液晶3时,液晶分子可以取向在垂直于基板110的表面的方向上。当电场施加到液晶3时,液晶分子可以取向在平行于基板110的表面的方向上。因此,能够通过操纵施加到液晶3的电场而以不同的方式将液晶分?#20248;?#21521;。
液晶3可以?#19978;?#21015;型、层列型、胆甾醇型和?#20013;?#30340;液晶材料形成。在一些实施例中,液晶3可以由负型液晶材料形成。在一些其它的实施例中,液晶3可以由正型液晶材料形成。
在上述实施例中,像素电极191形成在微腔200下面并且公共电极270形成在微腔200之上。然而,本发明构思不限于以上描述的构造。例如,在一些特别的实施例中,像素电极191和公共电极270两者可以形成在微腔200下面。在那些特别的实施例中,像素电极191和公共电极270可以或者形成在相同的层上,或者形成在不同的层上而有一个或多个绝?#25377;?#25554;设在两者之间。在那些特别的实施例中,液晶3可以形成在微腔200中使液晶分子取向在平行于基板110的表面的方向上。
第一配向层11形成在像素电极191上。在一些实施例中,第一配向层11可以形成在第一绝?#25377;?40上。例如参见图2和3。
第二配向层21形成在公共电极270下面,第二配向层21面对第一配向层11。
第一配向层11和第二配向层21可以形成为垂直配向层,并可以由诸如 聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亚胺的材料形成。第一配向层11和第二配向层21可以在像素区的边缘连接到彼此。换句话说,第一配向层11和第二配向层21可以形成在光阻挡构件220的与微腔200接触的侧表面上。
微腔200被第一绝?#25377;?40和公共电极270围绕。公共电极270可以形成为与第一绝?#25377;?40的上部(在该处第一绝?#25377;?40交叠数据线171)接触。多个公共电极270可以形成为沿在行方向上相邻的像素区连接。
由于公共电极270不形成在像素区的一部分的边界处,所以微腔200的一部分可以被暴露。例如,由于公共电极270不形成于在列方向上相邻的像素区的边界处,所以开口201可以形成为暴露微腔200的一部分。开口201可以形成于在列方向上相邻的像素区的边界处。液晶3能够通过开口201注入到微腔200中。
在上述实施例中,公共电极270形成为沿在行方向上相邻的像素区连接,开口201形成于在列方向上相邻的像素区的边界处。然而,本发明构思不限于以上描述的构造。例如,在一些其它的实施例中,公共电极270可以形成为沿列方向上相邻的像素区连接,开口201可以形成于在行方向上相邻的像素区的边界处。
第二绝?#25377;?80可以形成在公共电极270上。第二绝?#25377;?80可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。在一些特别的实施例中,第二绝?#25377;?80可以被省略。
参照图2和3,顶层230在每个像素区中形成在公共电极270上。顶层230可以包括滤色器。顶层230可以由有机材料形成。在一些实施例中,顶层230可以形成在第二绝?#25377;?80上。
顶层230?#26800;?#28388;色器可以由能够显示三基色红色、绿色和蓝色?#26800;?#20219;?#25105;?#31181;颜色的有机材料形成。滤色器不必限于该三基色。例如,在一些其它的实施例中,滤色器可以显示基于青色、洋红、黄色、白色的颜色或其他颜色。
微腔200形成在顶层230下面,微腔200的形状可以通过顶层230保持。开口201形成在顶层230中以暴露微腔200的一部分。
参照2和3,第三绝?#25377;?90可以形成在顶层230上。第三绝?#25377;?90可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。第三绝?#25377;?90可以形成为覆盖顶层230的上表面和侧表面。第三绝?#25377;?90能够用作顶层230的保护层。在一些特别的实施例中,第三绝?#25377;?90可以 被省略。
再次参照图2和3,外涂层295可以形成第三绝?#25377;?90上。外涂层295形成为覆盖开口201(微腔200的一部分被开口201暴露)。因此,外涂层295可以密封开口201,从而微腔200?#26800;?#28082;晶3没有被排出到外部。由于外涂层295与液晶3接触,所以优选地,外涂层由不与液晶3?#20174;?#30340;材料形成。例如,外涂层295可以由聚对二甲苯或其他的类似材料形成。
外涂层295可以形成为多层(例如,双层或三层)。双层包括由不同的材料形成的两个层。三层包括三个层,其中相邻的层由不同的材料形成。在一些实施例中,外涂层295可以包括由有机绝?#25377;?#26009;形成的层和由无机绝?#25377;?#26009;形成的层。
在一些实施例中,第二绝?#25377;?80、第三绝?#25377;?90和外涂层295不需要覆盖第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277的任何部分。例如参见图2。因而,第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277可以被暴露,并能够与外部端子接触。
在一些实施例(未示出)中,偏振器可以形成在显示装置的上表面和下表面上。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以形成在基板的下表面上,第二偏振器可以形成在外涂层295上。
接着,下面将参照图4至23来描述制造图1至3的显示装置的示范性方法。
图4至23是显示装置在不同制造阶段的截面图。具体地,图4、6、8、10、12、14、16、18、20和22是沿图1的相同的位置上的线II-II截取的截面图。图5、7、9、11、13、15、17、19、21和23是沿图1的另一个相同位置上的线III-III截取的截面图。
首先,如图4所示,栅线121和栅电极124形成在基板110上。栅线121形成为在基板110上沿特定的方向(例如,水平方向)?#30001;臁?#26629;电极124形成为从栅线121突出。基板110可以由玻璃、塑料或其他的?#23454;?#30340;基板材料形成。
如之前参照图1所述的,栅极焊盘125形成为连接到栅线121。栅极焊盘125形成为连接到栅线121的末端。栅极焊盘125的宽度可?#28304;?#20110;栅线121的宽度。例如参见图1。栅极焊盘125可以由与栅线121和栅电极124相同的材料形成。栅极焊盘125、栅线121和栅电极124可以在相同的工艺步骤 中形成。
参照图4和5,存储电极133形成为与栅线121和栅电极124间隔开。存储电极133可以由与栅线121和栅电极124相同的材料形成。存储电极133、栅线121和栅电极124可以在相同的工艺步骤中形成。
参照图4和5,栅绝?#25377;?40形成在基板110的表面上(在栅线121、栅电极124、栅极焊盘125和存储电极133上)。栅绝?#25377;?40可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx))形成。在一些实施例中,栅绝?#25377;?40可以形成为单个层。在一些其它的实施例中,栅绝?#25377;?40可以形成为多层。
参照图6,半导体材料(诸如非晶硅、多晶硅或金属氧化物)沉积在栅绝?#25377;?40上,并被?#21450;?#21270;以形成半导体层150。半导体层150可以形成在栅电极124上。
参照图7,数据线171形成为在基板110上沿另一个方向(例如,垂直方向)?#30001;臁?#25968;据线171通过沉积金属材?#26174;?#22270;5的结构上并?#21450;?#21270;该金属材料而形成。在一些实施例中,金属材料可以沉积为单个层。在一些其它的实施例中,金属材料可以沉积为多层。
返回参照图6,源电极173和漏电极175形成在半导体层150上。源电极173形成为从数据线171突出,漏电极175形成为与源电极173间隔开。
参照图6,数据焊盘177形成为连接到数据线171。例如,数据焊盘177形成为连接到数据线171的末端。数据焊盘177的宽度可?#28304;?#20110;数据线171的宽度。数据焊盘177可以由与数据线171、源电极173和漏电极175相同的材料形成。数据焊盘177、数据线171、源电极173和漏电极175可以在相同的工艺步骤中形成。
例如,半导体材料和金属材料可?#36816;?#24207;地沉积,并在相同的工艺步骤中?#21450;?#21270;以形成半导体层150、数据线171、源电极173、漏电极175和数据焊盘177。半导体层150可以形成为?#30001;?#21040;数据线171和数据焊盘177的下部。
栅电极124、半导体层150、源电极173和漏电极175共同地构成薄膜晶体管。栅线121和数据线171可以彼?#31169;?#21449;(即,彼此垂直)地形成。多个像素区可以通过栅线121交叉数据线171而限定。
参照图8和9,钝化层180形成在数据线171、源电极173、漏电极175以及半导体层150在源电极173和漏电极175之间的暴露部分上。在一些实 施例中,钝化层180可以由有机绝?#25377;?#26009;形成。在其他的实施例中,钝化层180可以由无机绝?#25377;?#26009;形成。此外,在一些实施例中,钝化层180可以形成为单层。在一些其它的实施例中,钝化层180可以形成为多层。
接下来,光阻挡材料沉积在钝化层180上并被?#21450;?#21270;以在像素区的边界形成光阻挡构件220。光阻挡构件220可以形成为围绕像素区的分隔壁。光阻挡构件220可以形成在薄膜晶体管上。
在一些实施例中,光阻挡构件220可以形成在薄膜晶体管的一部分上而没有部分地交叠漏电极175。然而,本发明构思不限于以上描述的构造。例如,在一些其它的实施例中,光阻挡构件220可以形成为覆盖薄膜晶体管。
参照图8,第一接触孔181通过蚀刻钝化层180而形成以暴露漏电极175的至少一部分。
如上所述,在一些实施例中,光阻挡构件220形成得没有部分地交叠漏电极175。在那些实施例中,第一接触孔181可以仅形成在钝化层180中。然而,在一些其它的实施例中,光阻挡构件220可以形成为完全地交叠漏电极175。在那些其他的实施例中,第一接触孔181可以形成在光阻挡构件220和钝化层180中。
当形成第一接触孔181时,还可以形成第二接触孔185,通过蚀刻栅绝?#25377;?40和钝化层180以暴露栅极焊盘125的至少一部分。此外,第三接触孔187可以通过蚀刻钝化层180而形成以暴露数据焊盘177的至少一部分。例如参见图10。
参照图10和11,透明金属材料(诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))沉积在光阻挡构件220和钝化层180上,并被?#21450;?#21270;以形?#19978;?#32032;区?#26800;?#20687;素电极191。像素电极191形成为通过第一接触孔181连接到漏电极175。
当形?#19978;?#32032;电极191时,第一辅助栅极焊盘195可以形成在栅极焊盘125上,第一辅助数据焊盘197可以形成在数据焊盘177上。例如参见图10。第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可以由与像素电极191相同的材料形成。
如图10所示,第一辅助栅极焊盘195的一部分可以形成在钝化层180上,第一辅助栅极焊盘195的另一部分可以直?#26377;?#25104;在栅极焊盘125上。类似地,第一辅助数据焊盘197的一部分可以形成在钝化层180上,第一辅助 数据焊盘197的另一部分可以直?#26377;?#25104;在数据焊盘177上。
参照图12和13,第一绝?#25377;?40形成在光阻挡构件220和像素电极191上。第一绝?#25377;?40可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。
第一绝?#25377;?40可以起到几个作用。例如,第一绝?#25377;?40能够用作光阻挡构件220的保护层。第一绝?#25377;?40还可以防止像素电极191(其由导电的金属形成)与另一金属层短路。然而,在一些特别的实施例中,第一绝?#25377;?40可以被省略。
如图12和13中进一步示出的,牺牲层210形成在光阻挡构件220和像素电极191上。牺牲层210可以由有机绝?#25377;?#26009;形成。在一些实施例中,牺牲层210可以形成在第一绝?#25377;?40上。
在一些实施例中,牺牲层210的位于第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上的部分可以通过?#21450;?#21270;牺牲层210而去除。例如参见图12。
牺牲层210可以由光敏聚合物材料形成,可以进行光刻工艺以?#21450;?#21270;牺牲层210。
参照图14,第一绝?#25377;?40的位于第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上的部分通过利用?#21450;?#21270;的牺牲层210作为掩模来?#21450;?#21270;第一绝?#25377;?40而去除。
接下来,?#21450;?#21270;的牺牲层210的高度经由灰化工艺(例如,利用氧等离子体)?#26723;?#20197;灰化?#21450;?#21270;的牺牲层210。灰化工艺去除牺牲层210的形成在光阻挡构件220上的部分。灰化工艺能够将牺牲层210的高度减少?#25509;?#20809;阻挡构件220基本上相同的高度。例如参见图14和15。结果,光阻挡构件220可以用作围绕(或分隔)灰化的牺牲层210的分隔壁。灰化工艺不需要完全地去除牺牲层210。如图14和15所示,部分牺牲层210在灰化工艺之后保留在像素区中。
参照图16和17,透明金属材料沉积在牺牲层210和光阻挡构件220上,并被?#21450;?#21270;以形成公共电极270。透明金属材料可以包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。公共电极270可以形成为沿在行方向上相邻的像素区连接。
由于公共电极270没有形成在像素区的一部分的边界处,所以牺牲层210的一部分可以被暴露。例如,由于公共电极270没有形成于在列方向上 相邻的像素区的边界处,所以开口201可以形成为暴露牺牲层210的一部分。
在上述实施例中,公共电极270形成为沿在行方向上相邻的像素区连接,开口201形成于在列方向上相邻的像素区的边界处。然而,本发明构思不限于以上描述的构造。例如,在一些其它的实施例中,公共电极270可以形成为沿列方向上相邻的像素区连接,开口201可以形成于在行方向上相邻的像素区的边界处。
在一些实施例中,当形成公共电极270时,第二辅助栅极焊盘275可以形成在第一辅助栅极焊盘195上并?#19994;?#20108;辅助数据焊盘277可以形成在第一辅助数据焊盘197上。例如参见图16。第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277可以由与公共电极270相同的材料形成。
如图16所示,第二辅助栅极焊盘275可以形成为覆盖第一辅助栅极焊盘195。第二辅助栅极焊盘275的一部分可以形成在钝化层180上,第二辅助栅极焊盘275的另一部分可以直?#26377;?#25104;在第一辅助栅极焊盘195上。
第二辅助数据焊盘277可以形成在第一辅助数据焊盘197上。第二辅助数据焊盘277可以形成为覆盖第一辅助数据焊盘197。第二辅助数据焊盘277的一部分可以形成在钝化层180上,第二辅助数据焊盘277的另一部分可以直?#26377;?#25104;在第一辅助数据焊盘197上。
在一些实施例中,如果形成在钝化层180上的第一绝?#25377;?40位于第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197周围,则第二辅助栅极焊盘275的一部分和第二辅助数据焊盘277的一部分可以形成在第一绝?#25377;?40上。
在上述实施例中,公共电极270在牺牲层210之后形成。然而,本发明构思不限于以上描述的形成次序。例如,在一些其它的实施例中,公共电极270可以在牺牲层210之前形成。此外,在一些实施例中,像素电极191和公共电极270可以?#19978;?#21516;的层形成。在其他的实施例,像素电极191和公共电极270可以由不同的层形成,而有一个或多个绝?#25377;?#25554;设在两者之间。
参照图18和19,第二绝?#25377;?80形成在公共电极270、第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277上。第二绝?#25377;?80可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氧化物或硅氮化物)形成。第二绝?#25377;?80能够用作公共电极270、第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277的保护层。在一些特别的实施例中,第二绝?#25377;?80可以被省略。
接下来,顶层230可以形成在公共电极270上。顶层230可以包括滤色 器。在一些实施例中,顶层230?#37096;?#20197;形成在第二绝?#25377;?80上。
顶层230形成在每个像素区中。包括具有相同颜色的滤色器的顶层230可以形成在多个像素区的列方向上。在包括三个不同的颜色的滤色器的顶层230中,顶层230可以包括第一颜色的第一顶层、第二颜色的第二顶层和第三颜色的第三顶层。第一至第三顶层可以如下形成。首先,在形成第一顶层之后,可以通过偏移掩模形成第二顶层。接下来,可以通过再次偏移掩模形成第三顶层。
在一些特别的实施例中,顶层230不需要形成在开口201上。
参照20和21,第三绝?#25377;?90可以形成在顶层230和第二绝?#25377;?80上。第三绝?#25377;?90可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。第三绝?#25377;?90可以形成在顶层230上以通过覆盖顶层230的上表面和侧表面而保护顶层230的上表面和侧表面。在一些特别的实施例中,第三绝?#25377;?90可以被省略。
参照图22和23,第二绝?#25377;?80的覆盖开口201的部分和第三绝?#25377;?90的覆盖开口201的部分通过?#21450;?#21270;第二绝?#25377;?80和第三绝?#25377;?90而去除。第二绝?#25377;?80和第三绝?#25377;?90的?#21450;?#21270;导致牺牲层210的一部分被暴露。
如图22所示,第二绝?#25377;?80和第三绝?#25377;?90两者的形成在第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277上的部分?#37096;?#20197;被去除。
接下来,对牺牲层210进行灰化工艺(利用例如氧等离子体)以去除牺牲层210。备选地,显影液可以用于去除牺牲层210。在去除牺牲层210之后,微腔200形成在牺牲层210之前所在的区域中。如图22和23所示,像素电极191和顶层230彼此间隔开,而微腔200插设在两者之间。微腔200的形状可以通过顶层230保持。
接着,包括配向材料的配向剂可以利用旋涂或喷墨工艺分配在基板110上,使得配向剂通过开口201注入到微腔200中。在配向剂被注入到微腔200中之后,可以进行固化工艺以蒸发配向剂的溶剂成分。在固化工艺之后,配向材料保留在微腔200的内壁表面上。
参照图22和23,第一配向层11可以形成在像素电极191上,第二配向层21可以形成在公共电极270下面。在一些实施例中,第一配向层11可以形成在第一绝?#25377;?40上。
第一配向层11和第二配向层21彼此相对地形成使微腔200插设在两者之间,并形成为在像素区的边缘处连接到彼此。因此,第一配向层11和第二配向层21?#37096;?#20197;形成在光阻挡构件220的与微腔200接触的侧表面上。
第一配向层11和第二配向层21通常配向在平行于第一基板110的表面的方向上,除?#23435;?#33108;200的侧表面(在该处,第一配向层11和第二配向层21配向为垂直于第一基板110的表面)。
在另一个实施例中,通过对第一配向层11和第二配向层21额外地进行紫外线(UV)照射工艺,第一配向层11和第二配向层21能够配向在平行于基板110的方向上。
接下来,包括液晶分子的液晶3能够利用喷墨方法分配在基板110上,使得液晶3通过开口201注入到微腔200中。液晶3可以被选择性地分配。例如,在一些实施例中,液晶3被分配在邻近于奇数编号的栅线形成的开口201上,而没有分配在邻近于偶数编号的栅线形成的开口201上。在一些其它的实施例中,液晶3被分配在邻近于偶数编号的栅线形成的开口201上,而没有分配在邻近于奇数编号的栅线形成的开口201上。
?#24065;?#26230;3分配在邻近于奇数编号的栅线形成的开口201上时,液晶3由于毛细力而通过开口201流动到微腔200中。?#24065;?#26230;3流过微腔200时,空气通过沿偶数编号的栅线形成的开口201从微腔200排出。空气从微腔200排出?#24066;?#28082;晶3通过开口201(位于奇数编号的栅线之上和之下)连续地注入到微腔200中。
接下来,外涂层295通过在第三绝?#25377;?90上沉积材料(不与液晶3?#20174;Γ?#32780;形成。例如,外涂层295可以由诸如聚对二甲苯的材料形成。外涂层295形成为覆盖微腔200通过其暴露的开口201,从而密封用于每个像素区的微腔200。
外涂层295可以形成为多层(诸如双层或三层)。在一些实施例中,外涂层295可以包括由有机绝?#25377;?#26009;形成的层和由无机绝?#25377;?#26009;形成的层。
在一些实施例中,外涂层295不需要覆盖第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277的任何部分。因而,第二辅助栅极焊盘275和第二辅助数据焊盘277被暴露,并能够与外部端子接触。
此外,在一些实施例中,偏振器(未示出)可以形成在显示装置的上表面和下表面上。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以 形成在基板110的下表面上,第二偏振器可以形成在外涂层295上。
如之前所述,在常规的液晶显示器中,两个显示面板通常形成在不同的基板上。例如,第一基板用于薄膜晶体管阵列面板,第二基板用于相对显示面板。相反,根据本发明构思的示范性显示装置不需要用于两个显示面板的每个的不同基板。如图1至23所示,液晶显示装置的元件(在显示面板上)能够制造在单个基板上。结果,与常规显示装置相比,示范性显示装置的重量和形状因数能够被显著地减少。此外,由于使用较少的掩模(以及仅一个基板),示范性显示装置以及制造该装置的方法能够?#26723;?#29983;产成本和周转时间。
接下来,下面将参照图24和25来描述根据本发明构思的另一示范性实施例的显示装置。具体地,图24和25是显示装置沿不同的截面线截取的截面图。
图24和25的显示装置共享与图1至3的显示装置类似的许多特征。因此,对相似特征?#26800;?#19968;些的参?#21152;Φ北?#30465;略。
参照图24,栅线121、数据线171和薄膜晶体管形成在基板110上。多个像素区通过多个栅线121交叉数据线171而限定。光阻挡构件220形成在像素区的边界处,像素电极191形成在像素区中。公共电极270形成为与像素电极191间隔开,微腔200插设在公共电极270和像素电极191之间。包括滤色器的顶层230形成在公共电极270上。开口201形成在公共电极270和顶层230中。液晶3通过开口201注入到微腔200中。外涂层295形成在顶层230上以覆盖开口201,从而密封用于每个像素区的微腔200。
以下将描述图24和25的显示装置与图1至3的显示装置之间的差异。图24和25的显示装置和图1至3的显示装置在像素区的边界处通常共享类似的结构,除了在栅极焊盘和数据焊盘部分处之外。例如,第二辅助栅极焊盘和第二辅助数据焊盘不需要形成在图24和25的显示装置中。
参照图24,栅极焊盘125形成为连接到栅线121。栅极焊盘125可以由与栅线121和栅电极124相同的材料形成。
数据焊盘177形成为连接到数据线171。数据焊盘177可以由与数据线171、源电极173和漏电极175相同的材料形成。
第一辅助栅极焊盘195形成在栅极焊盘125上,第一辅助数据焊盘197形成在数据焊盘177上。第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可 以由与像素电极191相同的材料形成。
不同于图1至3的显示装置,图24和25的显示装置不具有形成在第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上的层(该层由与公共电极270相同的材料形成)。
第二绝?#25377;?80、第三绝?#25377;?90和外涂层295可以形成在公共电极270上。然而,在一些实施例中,第二绝?#25377;?80、第三绝?#25377;?90和外涂层295不需要形成在第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上。因而,第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可以被暴露,并能够与外部端子接触。
接下来,参照图26至31,下面将描述制造图24和25的显示装置的示范性方法。
图26至31是显示装置在制造的不同阶段的截面图。具体地,图26、28和30是沿第一截面线上的相同的位置截取的截面图。图27、29和31是沿第二截面线上的另一个相同的位置截取的截面图。
图26至31中描述的方法包括图4至15中描述的工艺步骤,因此对之前描述的工艺步骤的参?#21152;Φ北?#30465;略。方法?#26800;?#24046;异发生在图15中描述的步骤之后,如?#28388;?#36848;。
如之前参照图15提及的,进行灰化工艺以去除牺牲层210的形成在光阻挡构件220上的部分。
参照图26和27,公共电极270形成在牺牲层210和光阻挡构件220上。公共电极270由透明金属材料(诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO))形成。公共电极270还形成在第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上。
如图28和29所示,第二绝?#25377;?80形成在公共电极270上。第二绝?#25377;?80由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氧化物或硅氮化物)形成。第二绝?#25377;?80能够用作公共电极270的保护层。在一些特别的实施例中,第二绝?#25377;?80可以被省略。
接下来,顶层230形成在公共电极270上。顶层230可以包括滤色器。在一些实施例中,顶层230可以形成在第二绝?#25377;?80上。
顶层230形成在每个像素区中。包括具有相同颜色的滤色器的顶层230可以形成在多个像素区的列方向上。在包括三个不同的颜色的滤色器的顶层 230中,顶层230可以包括第一颜色的第一顶层、第二颜色的第二顶层和第三颜色的第三顶层。第一至第三顶层可以如下形成。首先,在形成第一顶层之后,可以通过偏移掩模形成第二顶层。接下来,可以通过再次偏移掩模形成第三顶层。
参照28和29,第三绝?#25377;?90可以形成在顶层230和第二绝?#25377;?80上。第三绝?#25377;?90可以由无机绝?#25377;?#26009;(诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx))形成。第三绝?#25377;?90可以形成在顶层230上以通过覆盖顶层230的上表面和侧表面而保护顶层230的上表面和侧表面。在一些特别的实施例中,第三绝?#25377;?90可以被省略。
参照图30和31,开口201通过?#21450;?#21270;公共电极270、第二绝?#25377;?80和第三绝?#25377;?90而形成,从而暴露牺牲层210。公共电极270可以形成为沿在一个方向上相邻的像素区连接,开口201可以形成于在另一个方向上相邻的像素区的边界处。
在一些实施例中,公共电极270可以形成为沿行方向上相邻的像素区连接,开口201可以形成于在列方向上相邻的像素区的边界处。在一些其它的实施例中,公共电极270可以形成为沿列方向上相邻的像素区连接,开口201可以形成于在行方向上相邻的像素区的边界处。
当形成开口201时,形成在第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197上的公共电极270、第二绝?#25377;?80和第三绝?#25377;?90?#37096;?#20197;被去除。
接下来,对牺牲层210进行灰化工艺(利用例如氧等离子体)以去除牺牲层210。备选地,显影液可以用于去除牺牲层210。在去除牺牲层210之后,微腔200形成在牺牲层210之前所在的区域中。如图30和31所示,像素电极191和顶层230彼此间隔开,而微腔200插设在两者之间。微腔200的形状可以通过顶层230保持。
接下来,包括配向材料的配向剂可以利用旋涂或喷墨工艺分配在基板110上,使得配向剂通过开口201注入到微腔200中。在配向剂被注入到微腔200中之后,可以进行固化工艺以蒸发配向剂的溶剂成分。在固化工艺之后,配向材料保留在微腔200的内壁表面上。
如图30和31所示,第一配向层11可以形成在像素电极191上,第二配向层21可以形成在公共电极270下面。如之前在图22和23中描述的,第一配向层11和第二配向层21可以配向在垂直于或平行于基板110的表面 的方向上。
接下来,包括液晶分子的液晶3能够利用喷墨方法分配在基板110上,使得液晶3通过开口201注入到微腔200中。液晶3可以被选择性地分配。例如,在一些实施例中,液晶3被分配在邻近于奇数编号的栅线形成的开口201上,而没有分配在邻近于偶数编号的栅线形成的开口201上。在一些其它的实施例中,液晶3被分配在邻近于偶数编号的栅线形成的开口201上,而没有分配在邻近于奇数编号的栅线形成的开口201上。
接下来,外涂层295通过在第三绝?#25377;?90上沉积材料(不与液晶3?#20174;Γ?#32780;形成。例如,外涂层295可以由诸如聚对二甲苯的材料形成。外涂层295形成为覆盖微腔200通过其暴露到外部的开口201,从而密封用于每个像素区的微腔200。
在一些实施例中,外涂层295不需要覆盖第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197的任何部分。因而,第一辅助栅极焊盘195和第一辅助数据焊盘197可以被暴露,并能够与外部端子接触。
此外,在一些实施例中,偏振器(未示出)可以形成在显示装置的上表面和下表面上。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以形成在基板110的下表面上,第二偏振器可以形成在外涂层295上。
在图26至31中描述的示范性方法中,不需要单独的掩模来?#21450;?#21270;公共电极270,这简化了制造工艺。通过利用相同的掩模?#21450;?#21270;公共电极270、第二绝?#25377;?80和第三绝?#25377;?90,能够实现处理成本和周转时间的进一步减少。
尽管已经结合目前认为可?#26800;?#31034;范性实施例描述了本发明构思,但是将理解,本发明构思不限于公开的实施例,而是相反地,旨在涵盖被包括在本公开的精神和范围内的各?#20013;?#25913;和等同布置。

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