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利用吹膜机大规模生产SIO2辐射冷却膜的方法.pdf

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利用 吹膜机 大规模 生产 SIO2 辐射 冷却 方法
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摘要
申请专利号:

CN201910050583

申请日:

20190119

公开号:

CN109624284A

公开日:

20190416

当前法律状态:

公开

有效性:

审中

法?#19978;?#24773;: 公开
IPC分类号: B29C55/28 主分类号: B29C55/28
申请人: 天津大学
发明人: 周志华;刘俊伟
地址: 300072 天津市南开区卫津路92号
优先权:
专利代理机构: 12201 代理人: 吴学颖
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法律状态
申请(专利)号:

CN201910050583

授权公告号:

法律状态公告日:

20190416

法律状态类型:

公开

摘要

本发明公开了一种利用吹膜机大规模生产SiO2辐射冷却膜的方法:将低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末、SiO2粉末在吹膜机外充?#21482;?#21512;搅拌;打开吹膜机,将加?#20219;?#24230;调到220℃,膜厚度调成50微米;将第一步搅拌后的混合物加入吹膜机的下料斗中,靠粒?#39062;?#36523;的重量从料?#26041;?#20837;螺杆,逐渐加热;熔融的低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末裹携SiO2粉末经吹膜机的机头过滤网去杂质从模头模口出来,经吹胀、冷却之后经人字板压,由牵引辊卷取将成品薄膜卷成筒。本发明能够为SiO2辐射冷却膜的应用提供低成本规模性的生产方法。

权利要求书

1.一种利用吹膜机大规模生产SiO2辐射冷却膜的方法,其特征在于,包括以下步骤: 第一步:将低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末、SiO2粉末按质量比70:30:6,在吹膜机外充?#21482;?#21512;搅拌; 第二步:打开吹膜机,将加?#20219;?#24230;调到220℃,膜厚度调成50微米; 第三步:将第一步搅拌后的混合物加入吹膜机的下料斗中,靠粒?#39062;?#36523;的重量从料?#26041;?#20837;螺杆,逐渐加热; 第四步:熔融的低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末裹携SiO2粉末经吹膜机的机头过滤网去杂质从模头模口出来,经吹胀、冷却之后经人字板压,由牵引辊卷取将成品薄膜卷成筒。 2.根据权利要求1所述的利用吹膜机大规模生产SiO2辐射冷却膜的方法,其特征在于,所述低密度聚乙烯颗粒和低密度聚乙烯粉末均采用?#32960;?#20302;密度聚乙烯,用于冷却膜发射层的光透过,熔点107-112℃、熔体流动速率为3.0-5.0g/10min,所述低密度聚乙烯颗粒的粒径为4-5mm,所述低密度聚乙烯粉末的粒径为100?#20426;?3.根据权利要求1所述的利用吹膜机大规模生产SiO2辐射冷却膜的方法,其特征在于,所述SiO2粉末用于发射红外线,采用纳米级圆形球状粉末,其粒径为8微米。

说明书


利用吹膜机大规模生产SiO
2辐射冷却膜的方法

技术领域


本发明涉及冷却领域,更具体的说,是涉及一种利用吹膜机大规模生产SiO
2辐射
冷却膜的方法。


背景技术


目前,膜的制备有多种方法,而被动式辐射冷却正处于研究阶段,很快将达到大规
模应用阶段。辐射冷却有多?#20013;?#24335;,可大规模生产而?#39029;?#26412;较低的SiO
2辐射冷却膜的制备
还处于实验室阶段,应用于规模化生产还需进一步研究和探索。


发明内容


本发明的目的是为?#31169;?#20915;基于SiO
2的复合冷却膜的规模生产问题,提供一种利用
吹膜机大规模生产SiO
2辐射冷却膜的方法,能够为SiO
2辐射冷却膜的应用提供低成本规模
性的生产方法。


本发明的目的是通过以下技术方案实现的。


本发明利用吹膜机大规模生产SiO
2辐射冷却膜的方法,包括以下步骤:


第一步:将低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末、SiO
2粉末按质量比70:30:6,在
吹膜机外充?#21482;?#21512;搅拌;


第二步:打开吹膜机,将加?#20219;?#24230;调到220℃,膜厚度调成50微米;


第三步:将第一步搅拌后的混合物加入吹膜机的下料斗中,靠粒?#39062;?#36523;的重量从
料?#26041;?#20837;螺杆,逐渐加热;


第四步:熔融的低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末裹携SiO
2粉末经吹膜机的
机头过滤网去杂质从模头模口出来,经吹胀、冷却之后经人字板压,由牵引辊卷取将成品薄
膜卷成筒。


所述低密度聚乙烯颗粒和低密度聚乙烯粉末均采用?#32960;?#20302;密度聚乙烯,用于冷却
膜发射层的光透过,熔点107-112℃、熔体流动速率为3.0-5.0g/10min,所述低密度聚乙烯
颗粒的粒径为4-5mm,所述低密度聚乙烯粉末的粒径为100?#20426;?br>

所述SiO
2粉末用于发射红外线,采用纳米级圆形球状粉末,其粒径为8微米。


与现有技术相比,本发明的技术方案所带?#21561;?#26377;益效果?#29301;?br>

(1)本发明中低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末、SiO
2粉末的质量?#20219;?0:30:
6在吹膜机外充?#21482;?#21512;搅拌,通过低密度聚乙烯颗粒度的配比,解决了由一种低密度聚乙烯
粒径带?#21561;腟iO
2分布不均?#21462;?#19981;能连续成膜的问题。


(2)本发明中低密度聚乙烯颗粒和低密度聚乙烯粉末均采用?#32960;?#20302;密度低密度聚
乙烯,用于保证膜的高透性,低密度聚乙烯颗粒用于吹膜机的正常生产,低密度聚乙烯粉末
用于SiO
2粉末夹带,SiO
2粉末用于发射红外线。


(3)本发明可以采用?#32960;?#21561;膜机大规模生产,用于将低密度聚乙烯材料和纳米级
SiO
2粉末融合在一起,并吹制成膜,解决了实验室工艺不能大规模生产的问题。


具体实施方式


为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明实施方式做进一步
地详细描述。


本发明利用吹膜机大规模生产SiO
2辐射冷却膜的方法,包括以下步骤:


第一步:将低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末、SiO
2粉末在吹膜机外充分搅拌
混合均匀,防止因为SiO
2粉末粒径小、密度大而沉底,加入吹膜机的下料斗?#21271;?#20363;不均衡。


其中,低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末、SiO
2粉末的质量?#20219;?0:40:6,混合
生产而成辐射冷却膜。所述低密度聚乙烯颗粒和低密度聚乙烯粉末用于冷却膜发射层的光
透过,承载SiO
2粉末,所述低密度聚乙烯颗粒和低密度聚乙烯粉末均采用?#32960;?#20302;密度聚乙
烯,用于保证膜的高透性,熔点107-112℃、熔体流动速率为3.0-5.0g/10min。所述低密度聚
乙烯颗粒的粒径为4-5mm,用于吹膜机的正常生产。所述低密度聚乙烯粉末的粒径约为100
目,末用于SiO
2粉末夹带。所述SiO
2粉末用于发射红外线,采用微米级圆形球状粉末,其粒径
为8微米左右。


第二步:打开吹膜机,将加?#20219;?#24230;调到220℃左右,膜厚度调成50微米。其中,吹膜
机用于将低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末与纳米级SiO
2粉末融合在一起,并吹制成
膜。


第三步:将第一步搅拌混合均匀后的混合物加入吹膜机的下料斗中,靠粒?#39062;?#36523;
的重量从料?#26041;?#20837;螺杆,逐渐加热。


第四步:熔融的低密度聚乙烯颗粒、低密度聚乙烯粉末裹携SiO
2粉末经吹膜机的
机头过滤网去杂质从模头模口出来,经吹胀、冷却之后经人字板压,由牵引辊卷取将成品薄
膜卷成筒。


尽管上面对本发明的功能及材料进行了描述,但本发明并不局限于上述的具体功
能和材料要求,上述的实施方式仅仅是示意性?#27169;?#32780;不是限制性?#27169;?#26412;领域的?#32960;?#25216;术人员
在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的?#27573;?#24773;况下,还可以做出很
多形式,这些均属于本发明的保护之内。


关于本文
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