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一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用.pdf

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一种 OLED ITO 蚀刻 及其 制备 方法 应用
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摘要
申请专利号:

CN201910039183

申请日:

20190116

公开号:

CN109575922A

公开日:

20190405

当前法律状态:

公开

有效性:

审中

法?#19978;?#24773;: 公开
IPC分类号: C09K13/00;H01L51/56 主分类号: C09K13/00;H01L51/56
申请人: 苏州晶瑞化学股份有限公司
发明人: 傅华;刘兵;高小云
地址: 215124 江苏省苏州市吴中经济开发区善丰路168号
优先权:
专利代理机构: 32293 代理人: 王丽
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法律状态
申请(专利)号:

CN201910039183

授权公告号:

法律状态公告日:

20190405

法律状态类型:

公开

摘要

本发明涉及一种金属材料的化学蚀刻用组合物及其制备工艺,具体涉及一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用,由以下原料制备而成,原料按照质量份数组成,混合酸1?10份、铵盐0.05?0.08份、钾盐0.1?0.2份、表面活性剂0.01?2份、消泡剂0.01?0.1份、去离子水100份。本发明提供的一种OLED用ITO蚀刻液,加工工艺参数容易控制,可以在现有设备上对ITO膜高精度地进行蚀刻加工;在蚀刻技工的过程中使用安全,不易对人体和设备造成伤害。

权利要求书

1.一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:由以下原料制备而成,原料按照质量份数组成,混合酸1-10份、铵盐0.05-0.08份、钾盐0.1-0.2份、表面活性剂0.01-2份、消泡剂0.01-0.1份、去离子水100份。 2.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸,质量比例为1-3:4-8:4-8。 3.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:所述的铵盐,为以下物质中的一种或多种混合物:乙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵、硫酸铵、硝酸铵、碳酸铵、氯化铵、碳酸氢铵、硫酸氢胺。 4.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:所述的表面活性剂为磷酸盐型双子表面活性剂、磷酸酯盐型双子表面活性剂中的一种或多种混合。 5.根据权利要求4所述的一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:所述的磷酸盐型双子表面活性剂为双十二烷氧基双磷酸钠盐、双十二烷氧基双磷酸钾盐中的一种或两种混合,所述磷酸酯盐型双子表面活性剂为对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双十二烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钠盐、对苯二甲基双十二烷基磷酸酯钠盐、对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钠盐中的一种或两种混合。 6.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:所述消泡剂为异辛醇、异戊醇、二?#19968;?#24049;醇、二异丁基甲醇一种或多种混合。 7.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液,其特征在于:所述的钾盐为氯化钾、硝酸钾中的一种或两种混合。 8.根据权利要求1或7所述的一种OLED用ITO蚀刻液的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:常温常压下,将去离子水加入容器中;在搅拌状态下,按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡剂;搅拌至完全溶解并均匀,然后过滤,过滤采用0.5-1μm的过滤器,最后出料。 9.根据权利要求1或8所述的一种OLED用ITO蚀刻液的应用,其特征在于,用于蚀刻OLED的ITO导电膜。

说明书


一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用
技术领域


本发明涉及一种金属材料的化学蚀刻用组合物及其制备工艺,具体涉及一种OLED
用ITO蚀刻液及其制备方法和应用。


背景技术


ITO导电膜广泛地用于液晶显示器、太阳能电池、微电子导电膜玻璃、光电子和各
种光学领域。ITO导电膜的蚀刻加工通常采用盐酸、硝酸混合水溶液,盐酸、三氯化铁水溶
液,碘酸水溶液,磷酸水溶液等。蚀刻液。这些蚀刻液腐蚀能力都比较的强,在蚀刻加工的过
程中,比较难以控制蚀刻参数,?#28909;?#21152;工的角度和蚀刻时间,并且生产过程中存在较多的危
险,必须作为危害化学品严格控制。


发明内容


本发明提供一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用,该蚀刻液的加工条件下
比较容易控制,并且使用安全、危害小。


根据本发明的第一方面,一种OLED用ITO蚀刻液,由以下原料制备而成,原料按照
质量份数组成,混合酸1-10份、铵盐0.05-0.08份、钾盐0.1-0.2份、表面活性剂0.01-2份、消
泡剂0.01-0.1份、去离子水100份。


作为本发明的优选方案,所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸,质量比例为
1-3:4-8:4-8。


所述的铵盐,为以下物质中的一种或多种混合物:乙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵、硫酸
铵、硝酸铵、碳酸铵、氯化铵、碳酸氢铵、硫酸氢胺。


所述的表面活性剂为磷酸盐型双子表面活性剂、磷酸酯盐型双子表面活性剂中的
一种或多种混合。


优选的,所述的磷酸盐型双子表面活性剂为双十二烷氧基双磷酸钠盐、双十二烷
氧基双磷酸钾盐中的一种或两种混合,所述磷酸酯盐型双子表面活性剂为对苯二甲基双辛
烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双十二烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钾盐、
对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钠盐、对苯二甲基双十二烷基磷酸酯钠盐、对苯二甲基双十六
烷基磷酸酯钠盐中的一种或两种混合。


所述消泡剂为异辛醇、异戊醇、二?#19968;?#24049;醇、二异丁基甲醇一种或多种混合。


钾盐为氯化钾、硝酸钾中的一种或两种混合。


根据本发明的第二方面,本发明提供该OLED用ITO蚀刻液的制备方法,包括如下步
骤:包括以下步骤:常温常压下,将去离子水加入容器中;在搅拌状态下,按照配比依次加入
混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡剂;搅拌至完全溶解并均匀,然后过滤,过滤采用0.5-1μ
m的过滤器,最后出料。


根据本发明的第三方面,本发明提供的一种OLED用ITO蚀刻液用于蚀刻OLED的ITO
导电膜。


本发明的有益效果为:


本发明提供的一种OLED用ITO蚀刻液,加工工艺参数容易控制,可以在现有设备上
对ITO膜高精度地进行蚀刻加工;在蚀刻技工的过程中使用安全,不易对人体和设备造成伤
害。


具体实施方式


下面通过具体实施方式结合实施例和试验例对本发明作进一步详细说明。


实施例1


一种OLED用ITO蚀刻液,由以下原料制备而成,原料按照质量份数组成,混合酸5
份、铵盐0.05份、钾盐0.1份、表面活性剂1份、消泡剂0.1份、去离子水100份。


所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸,质量比例为2:5:5。


所述的铵盐,为乙酸铵。所述的表面活性剂为双十二烷氧基双磷酸钠盐。所述消泡
剂为异辛醇。钾盐为氯化钾。


该OLED用ITO蚀刻液的制备方法,包括如下步骤:包括以下步骤:常温常压下,将去
离子水加入容器中;在搅拌状态下,按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡
剂;搅拌至完全溶解并均匀,然后过滤,过滤采用0.5-1μm的过滤器,最后出料。


实施例2


一种OLED用ITO蚀刻液,由以下原料制备而成,原料按照质量份数组成,混合酸4
份、铵盐0.06份、钾盐0.1份、表面活性剂0.05份、消泡剂0.02份、去离子水100份。


所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸,质量比例为2:6:4。


所述的铵盐,为苯甲酸铵。所述的表面活性剂为对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钾
盐。所述消泡剂为二?#19968;?#24049;醇。钾盐为硝酸钾。


该OLED用ITO蚀刻液的制备方法,包括如下步骤:包括以下步骤:常温常压下,将去
离子水加入容器中;在搅拌状态下,按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡
剂;搅拌至完全溶解并均匀,然后过滤,过滤采用0.5-1μm的过滤器,最后出料。


实施例3


一种OLED用ITO蚀刻液,由以下原料制备而成,原料按照质量份数组成,混合酸8
份、铵盐0.05份、钾盐0.1份、表面活性剂2份、消泡剂0.01份、去离子水100份。


所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸,质量比例为1:8:4。


所述的铵盐,硫酸铵。所述的表面活性剂为对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钠盐。钾盐
为氯化钾。


该OLED用ITO蚀刻液的制备方法,包括如下步骤:包括以下步骤:常温常压下,将去
离子水加入容器中;在搅拌状态下,按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡
剂;搅拌至完全溶解并均匀,然后过滤,过滤采用0.5-1μm的过滤器,最后出料。


实施例4


该OLED用ITO蚀刻液的应用,在OLED的玻璃基板,上采用溅射法制备ITO膜,依次再
通过显影和曝光工序,形成抗蚀涂层?#21450;浮?br>

玻璃基板用蚀刻液蚀刻,温度控制在45℃,蚀刻控制的时间具体的根据ITO膜的膜
厚参数进?#26800;?#33410;,一般不超过18?#31181;印?br>

蚀刻结束后,再进行清洗,最后干燥、检测。


以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发
明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱
离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换。


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